[发明专利]防止光刻工艺中喷嘴内胶液结晶的方法无效
申请号: | 200910198492.9 | 申请日: | 2009-11-05 |
公开(公告)号: | CN102053500A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 安辉 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛峥;王丽琴 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 光刻 工艺 喷嘴 内胶液 结晶 方法 | ||
1.一种防止光刻工艺中喷嘴内胶液结晶的方法,该方法包括:
在空喷之后喷胶;
喷胶结束后回吸胶液;
将用于喷胶的喷嘴置于溶剂中。
2.如权利要求1所述的防止光刻工艺中喷嘴内胶液结晶的方法,其特征在于,所述溶剂与所述胶液相溶。
3.如权利要求2所述的防止光刻工艺中喷嘴内胶液结晶的方法,其特征在于,所述胶液为有机材料,所述溶剂为丙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯或者丙二醇甲醚和丙二醇甲醚醋酸酯混合得到的溶剂。
4.如权利要求3所述的防止光刻工艺中喷嘴内胶液结晶的方法,其特征在于,所述溶剂为丙二醇甲醚和丙二醇甲醚醋酸酯以7∶3的比例混合得到的溶剂。
5.如权利要求3所述的防止光刻工艺中喷嘴内胶液结晶的方法,其特征在于,所述有机材料是用于形成光刻胶涂层、底部抗反射涂层、顶部涂层或含硅的底部抗反射涂层的有机材料。
6.如权利要求2所述的防止光刻工艺中喷嘴内胶液结晶的方法,其特征在于,所述胶液为亲水材料,所述溶剂为去离子水。
7.如权利要求6所述的防止光刻工艺中喷嘴内胶液结晶的方法,其特征在于,所述亲水材料是用于形成顶部抗反射涂层的亲水材料。
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