[发明专利]一种可减小侧墙坡度的氧化层制造方法

权利要求书

1.一种可减小侧墙坡度的氧化层制造方法，其包括以下步骤：a、通过热 氧化工艺在硅衬底上生长氧化硅；b、涂覆光刻胶并进行烘烤；c、进行曝光工 艺在光刻胶上形成氧化层的图形；d、进行显影工艺；e、使用氢氟酸缓冲腐蚀 液刻蚀形成氧化层；f、去除光刻胶；其特征在于，在步骤a和b间还包括使用 氢氟酸缓冲腐蚀液清洗并进行烘干的步骤。

2.如权利要求1所述的可减小侧墙坡度的氧化层制造方法，其特征在于， 氢氟酸缓冲腐蚀液中氟化氨溶液和氢氟酸的体积配比范围为7∶1至200∶1。

3.如权利要求2所述的可减小侧墙坡度的氧化层制造方法，其特征在于， 氢氟酸缓冲腐蚀液中氟化氨溶液和氢氟酸的体积配比为9∶1。

4.如权利要求2所述的可减小侧墙坡度的氧化层制造方法，其特征在于， 该氟化氨溶液的浓度为40％，该氢氟酸的浓度为49％。

5.如权利要求1所述的可减小侧墙坡度的氧化层制造方法，其特征在于， 氢氟酸缓冲腐蚀液清洗的时间范围为0.5至1分钟。

6.如权利要求1所述的可减小侧墙坡度的氧化层制造方法，其特征在于， 该氧化层为场氧化层，其厚度范围为2至3微米。

7.如权利要求6所述的可减小侧墙坡度的氧化层制造方法，其特征在于， 在步骤e中，通过氢氟酸缓冲腐蚀液刻蚀的时间为10至20分钟。

8.如权利要求1所述的可减小侧墙坡度的氧化层制造方法，其特征在于， 其在完成步骤a后还通过氩离子注入工艺对氧化硅进行掺杂。

9.如权利要求1所述的可减小侧墙坡度的氧化层制造方法，其特征在于， 在步骤a中，热氧化工艺的氧化温度为900至1000摄氏度。

10.如权利要求1所述的可减小侧墙坡度的氧化层制造方法，其特征在于， 在步骤b中，在氧化硅上涂覆光刻胶前先喷涂六甲基二硅氮烷。