[发明专利]一种共享字线的分栅式闪存的编程方法

权利要求书

1.一种共享字线的分栅式闪存的编程方法，所述闪存包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；字线，设置于所述源极区域和漏极区域之间；第一存储位单元，位于所述字线与所述源极区域之间；第二存储位单元，位于所述字线与所述漏极区域之间，其中所述两个存储位单元与所述字线之间由隧穿氧化层隔开，所述两个存储位单元分别具有第一控制栅、第一浮栅和第二控制栅、第二浮栅，所述两个控制栅具有间隔地分别设置于所述两个浮栅上；其特征在于所述方法包括：分别对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅和所述源极区域施加电压，实现第一存储位单元编程，其中所述源极区域施加电压范围为2.5V至3.6V，所述第一控制栅施加电压范围为10V至16V。

2.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的编程方法，其特征在于对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅和所述源极区域施加电压分别为1.5V、10V、10V和2.5V。

3.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的编程方法，其特征在于对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅和所述源极区域施加电压分别为1.5V、12V、12V和2.9V。

4.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的编程方法，其特征在于对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅和所述源极区域施加电压分别为1.5V、16V、16V和3.6V。

5.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的编程方法，其特征在于所述两个控制栅为多晶硅控制栅，所述两个浮栅为多晶硅浮栅，所述字线为多晶硅选择栅。

6.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的编程方法，其特征在于所述隧穿氧化层为氧化硅层。

7.根据权利要求1所述的共享字线的分栅式闪存的编程方法，其特征在于在所述漏极区域提供-20uA至-1uA的电流。

8.一种共享字线的分栅式闪存的编程方法，所述闪存包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；字线，设置于所述源极区域和漏极区域之间；第一存储位单元，位于所述字线与所述源极区域之间；第二存储位单元，位于所述字线与所述漏极区域之间，其中所述两个存储位单元与所述字线之间由隧穿氧化层隔开，所述两个存储位单元分别具有第一控制栅、第一浮栅和第二控制栅、第二浮栅，所述两个控制栅具有间隔地分别设置于所述两个浮栅上；其特征在于所述方法包括：分别对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅和所述源极区域施加电压，实现第二存储位单元编程，其中所述漏极区域施加电压范围为2.5V至3.6V，所述第二控制栅施加电压范围为10V至16V。

9.根据权利要求8所述的共享字线的分栅式闪存的编程方法，其特征在于对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅和所述源极区域施加电压分别为1.5V、10V、10V和2.5V。

10.根据权利要求8所述的共享字线的分栅式闪存的编程方法，其特征在于对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅和所述源极区域施加电压分别为1.5V、12V、12V和2.9V。

11.根据权利要求8所述的共享字线的分栅式闪存的编程方法，其特征在于对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅和所述源极区域施加电压分别为1.5V、16V、16V和3.6V。

12.根据权利要求8所述的共享字线的分栅式闪存的编程方法，其特征在于所述两个控制栅为多晶硅控制栅，所述两个浮栅为多晶硅浮栅，所述字线为多晶硅选择栅。

13.根据权利要求8所述的共享字线的分栅式闪存的编程方法，其特征在于所述隧穿氧化层为氧化硅层。

14.根据权利要求8所述的共享字线的分栅式闪存的编程方法，其特征在于在所述源极区域提供-20uA至-1uA的电流。