[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 200910198581.3 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102054684A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;韩秋华;张海洋;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：
提供晶片；
在所述晶片上形成缓冲层，所述缓冲层的厚度从边缘向中央渐变；
在所述缓冲层上形成底部抗反射层；
在所述底部抗反射层上形成光刻胶层；
对所述光刻胶层进行曝光和显影，从而在光刻胶层中形成开口；
利用所述光刻胶层做掩膜，对所述底部抗反射层、缓冲层进行第一刻蚀，在底部抗反射层和缓冲层中形成开口；
利用所述缓冲层做掩膜，对所述晶片进行第二刻蚀，在晶片中形成沟槽。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，
所述第一刻蚀步骤中对晶片边缘区域的刻蚀速率大于对晶片中央区域的刻蚀速率；
所述缓冲层的厚度从边缘向中央递减。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀的时间大于或等于将晶片边缘区域的缓冲层刻干净所需要的时间。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀步骤中对晶片边缘区域的刻蚀速率小于对晶片中央区域的刻蚀速率；
所述缓冲层的厚度从边缘向中央递增。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀的时间大于或等于将晶片中央区域的缓冲层形成开口所需要的时间。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成缓冲层的步骤包括：
向晶片上滴注缓冲层，并且旋转晶片；
对缓冲层进行烘焙。
7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述晶片的转速为2000RPM至2500RPM。
8.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述晶片的转速为4000RPM至5000RPM。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，晶片的中央区域和晶片边缘区域的缓冲层的厚度差为40埃±10埃。
10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀使用的刻蚀气体包括N2、H2、CO、SO2中的一种或其组合。
11.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括刻蚀的稀释气体He、Ar中的一种或其组合。
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