[发明专利]高分子基体双面表面贴装型静电防护器件及其制备方法

权利要求书

1.一种高分子基体双面表面贴装型静电防护器件，包括基板、内电极、芯材，端部设有的端电极，其特征在于：所述的基板包括上下两块，在上、下基板之间夹有一块半固化片，半固化片上设有通孔，上基板、半固化片、下基板依次叠置，上、下基板上内电极的前端相对设置，并且半固化片上的通孔对应于两内电极前端的相汇处，通孔中填充有芯材浆料，该芯材浆料分别与上、下基板的内电极接触，构成静电防护器件。

2.根据权利要求1所述的高分子基体双面表面贴装型静电防护器件，其特征在于：所述上、下基板上内电极的宽度为0.2～0.5mm，端电极为齐平或开半圆缺口的形状。

3.根据权利要求1所述的高分子基体双面表面贴装型静电防护器件，其特征在于：所述半固化片的厚度为0.02～0.1mm，半固化片上通孔的孔径为0.3～0.6mm。

4.根据权利要求1至3之一所述的高分子基体双面表面贴装型静电防护器件的制备方法，其特征在于包括下述步骤：

第一步：在双面覆铜的环氧树脂基板上采用化学蚀刻、机械切割或激光切割的方法在铜箔上加工内电极和端电极，并进行防氧化处理，加工成上基板和下基板，同时在上、下基板上加工形成定位孔；

第二步：取半固化片根据设计图形加工形成通孔和定位孔，定位孔与上、下基板上的定位孔位置对应；

第三步：制备芯材浆料，在下基板的内电极前端印刷芯材浆料；

第四步：将半固化片通过定位孔贴敷于下基板上的同时将上基板通过定位孔压敷于半固化片上，使上、下基片内电极的前端相对设置，并且半固化片上的通孔对应于两内电极前端的相汇处，下基板上的芯材浆料填充在半固化片的通孔中，上、下基板上的内电极通过半固化片通孔夹贴于芯材浆料上下两侧，制成半成品；

第五步：将贴合好的半成品在热压机上加压并加热固化芯材浆料及半固化片；

第六步：在端电极的中心部位采用机械或激光方式打孔或切割一条狭缝，并在孔或狭缝内表面依次镀铜和金，或依次镀镍和金；

第七步：按设计尺寸切割，制成双面表面贴装型静电防护器件。

5.根据权利要求4所述的高分子基体双面表面贴装型静电防护器件的制备方法，其特征在于：所述的芯材由包括高分子基体材料、半导体填料、金属填料、绝缘填料和交联剂按比例混合而成，各组分按体积百分比计为：

高分子基体材料        40～60

半导体填料            10～40

金属填料              10～40

绝缘填料              1～15

交联剂                0.1～1。

6.根据权利要求5所述的高分子基体双面表面贴装型静电防护器件的制备方法，其特征在于：所述的高分子基体材料为聚乙烯、聚丙烯、聚氨酯、环氧树脂、硅树脂，硅橡胶中的一种或以上的组合物，其体积电阻系数＞10⁹Ω/cm。

7.根据权利要求5所述的高分子基体双面表面贴装型静电防护器件的制备方法，其特征在于：所述的半导体填料为氧化锌、钛酸钡、碳化硅中的一种或以上的组合物，半导体粒子的粒径为100nm～10μm。

8.根据权利要求5所述的高分子基体双面表面贴装型静电防护器件的制备方法，其特征在于：所述的金属填料为铜粉、镍粉、铝粉、银粉中的一种或以上的组合物，粒径为0.1～30微米。

9.根据权利要求5所述的高分子基体双面表面贴装型静电防护器件的制备方法，其特征在于：所述的绝缘粒子为二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氢氧化镁、氢氧化铝中的一种或以上的组合物，粒径为100nm～10μm。

10.根据权利要求5所述的高分子基体双面表面贴装型静电防护器件的制备方法，其特征在于：所述的交联剂为硅烷偶联剂或多官能团不饱和化合物。