[发明专利]一种多晶硅层间介质刻蚀方法有效
| 申请号： | 200910198788.0 | 申请日： | 2009-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102054679A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 吴爱明;李俊;庄晓辉;张世栋;王三坡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅层间 介质 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅层间介质的刻蚀方法，应用于闪存中制造外围电路区过程中，该方法包括：
提供晶圆，所述晶圆的器件面上具有前层氧化层；
在所述前层氧化层上沉积多晶硅层；
在所述多晶硅层进行第一光刻后第一干法刻蚀存储单元区的多晶硅层形成浮栅；
在所述多晶硅层上沉积多晶硅层间介质，包括上氧化层，氮化层和下氧化层三部分；
对所述外围电路区多晶硅层间介质进行第二光刻和第二干法刻蚀；
第三干法刻蚀外围电路区多晶硅层；
湿法刻蚀外围电路区前层氧化层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述沉积多晶硅层是用炉管生长。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二干法刻蚀所用的气体是三氟甲烷CHF3、氩气Ar和氧气O2。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二干法刻蚀是完全去除多晶硅层间介质，刻蚀停止在多晶硅层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第三干法刻蚀是用等离子气体刻蚀。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第三干法刻蚀是完全去除多晶硅层，刻蚀停止在氧化层。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述湿法刻蚀外围电路区前层氧化层是用低浓度缓冲层氧化物刻蚀方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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