[发明专利]低雾度的多层共挤双向拉伸聚酰胺薄膜及制备方法

权利要求书

1.一种低雾度的多层共挤双向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于，包括一表层A、一表层C以及由聚酰胺原料构成的一中间层B，所述表层A和所述表层C分别位于中间层B的两侧，且中间层B、表层A及表层C共同形成共挤结构，所述表层A、表层C和中间层B均包括一种添加剂，所述添加剂至少包含一种胶状或链状的二氧化硅。

2.如权利要求1所述的低雾度的多层共挤双向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于，所述添加剂中的二氧化硅为纳米级二氧化硅，其尺寸小于100纳米。

3.如权利要求1所述的低雾度的多层共挤双向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于，所述添加剂中的二氧化硅包括纳米级二氧化硅和微米级二氧化硅，所述纳米级二氧化硅的尺寸小于100纳米，所述微米级二氧化硅的尺寸在0.5-5.0微米。

4.如权利要求1所述的低雾度的多层共挤双向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于，所述表层A和所述表层C的厚度在0.2-2.5微米范围内。

5.如权利要求1所述的低雾度的多层共挤双向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于，中间层B、表层A和表层C总的厚度在6-40微米范围内，且所述中间层B的厚度占总厚度的50％-90％。

6.一种低雾度的多层共挤双向拉伸聚酰胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)挤出工序：在聚酰胺原料中加入一种添加剂，然后在挤出机中熔融后通过一共挤模头挤出一聚酰胺膜片，所述聚酰胺膜片包括一表层A、一表层C以及一中间层B，所述添加剂至少包含一种胶状或链状的二氧化硅；

(2)铸片工序：将聚酰胺膜片冷却到50℃以下；

(3)纵向拉伸工序：将聚酰胺膜片控制在45-80℃的温度范围内进行纵向拉伸；

(4)横向拉伸工序：将聚酰胺膜片控制在90-160℃的温度范围内进行横向拉伸，并形成聚酰胺薄膜；

(5)热定型工序：将聚酰胺薄膜控制在150-250℃的范围内进行定型。

7.如权利要求6所述的低雾度的多层共挤双向拉伸聚酰胺薄膜的制备方法，其特征在于，其还包括干燥工序：将加入了添加剂的聚酰胺原料进行真空干燥，并将水份控制在500-1500ppm范围内。

8.如权利要求6所述的低雾度的多层共挤双向拉伸聚酰胺薄膜的制备方法，其特征在于，在对聚酰胺膜片双向拉伸后还进一步包括步骤：对拉伸后的聚酰胺薄膜进行电晕处理，使薄膜的表面张力达到52mN/m以上。

9.如权利要求6所述的低雾度的多层共挤双向拉伸聚酰胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述添加剂中的二氧化硅包含尺寸小于100纳米的纳米级二氧化硅。