[发明专利]双向阻断型浪涌保护器件

权利要求书

1.一种双向阻断型浪涌保护器件，作为器件模块，包括耗尽型场效应晶体管和电阻，其特征在于：包括第一耗尽型场效应晶体管、第二耗尽型场效应晶体管、第三耗尽型场效应晶体管、第一电阻以及第二电阻，所述的第一耗尽型场效应晶体管的源极及第二耗尽型场效应晶体管的源极分别与第三耗尽型场效应晶体管的源极和漏极相连，构成串联结构，其中，第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与第二耗尽型场效应晶体管的源极相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一耗尽型场效应晶体管的源极相连；第三耗尽型场效应晶体管的栅极与第一电阻、第二电阻均相连，第一电阻的另一端与模块输入端相连，第二电阻的另一端与模块输出端相连，在第一耗尽型场效应晶体管和第二耗尽型场效应晶体管漏源极间分别设置一个高压的反向二极管；其中，

所述的浪涌保护器件还包括第三电阻，第三电阻并联于第三耗尽型场效应晶体管的源极和漏极之间；

所述的浪涌保护器件还包括第一反馈分压器及第二反馈分压器，均由至少二个电阻构成，该第一反馈分压器及第二反馈分压器均并联于第三耗尽型场效应晶体管的漏极和源极之间，其中，第一反馈分压器的中间节点与第一耗尽型场效应晶体管的栅极相连，第二反馈分压器的中间节点与第二耗尽型场效应晶体管的栅极相连。

2.根据权利要求1所述的双向阻断型浪涌保护器件，其特征在于：所述的第一反馈分压器由第四电阻和第五电阻构成，第一反馈分压器并联于第三耗尽型场效应晶体管源极和漏极之间；第二反馈分压器由第六电阻和第七电阻构成，第二反馈分压器并联于第三耗尽型场效应晶体管源极和漏极之间。

3.根据权利要求1或2所述的双向阻断型浪涌保护器件，其特征在于：所述的第一耗尽型场效应晶体管或第二耗尽型场效应晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管及静电感应场效应晶体管中的一种。

4.根据权利要求3所述的双向阻断型浪涌保护器件，其特征在于：所述的第一和第二耗尽型场效应晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管，所述的第三耗尽型场效应晶体管为结型场效应晶体管。

5.根据权利要求4所述的双向阻断型浪涌保护器件，其特征在于：所述的第一和第二耗尽型场效应晶体管均为高压金属氧化物半导体场效应晶体管。

6.根据权利要求3所述的双向阻断型浪涌保护器件，其特征在于：所述浪涌保护器件的第一耗尽型场效应晶体管的导电沟道类型与第二耗尽型场效应晶体管的导电沟道类型相同，且均与第三耗尽型场效应晶体管的导电沟道类型相反。

7.根据权利要求6所述的双向阻断型浪涌保护器件，其特征在于：所述第一及第二耗尽型场效应晶体管均为耗尽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第三耗尽型场效应晶体管为耗尽型P沟道结型场效应晶体管；或者，所述第一及第二耗尽型场效应晶体管均为耗尽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；所述第三耗尽型场效应晶体管为耗尽型N沟道结型场效应晶体管。

8.根据权利要求7所述的双向阻断型浪涌保护器件，其特征在于：所述第一耗尽型场效应晶体管和第二耗尽型场效应晶体管为高压耗尽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，第三耗尽型场效应晶体管为耗尽型P沟道结型场效应晶体管，在第一耗尽型场效应晶体管和第二耗尽型场效应晶体管漏源极间分别设置一个高压的反向二极管。