[发明专利]阻断型浪涌保护器件有效
| 申请号： | 200910199069.0 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101702509A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 苏海伟;张关保;张婷;吴兴农;李星 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/22 | 分类号： | H02H3/22;H02H3/06 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻断 浪涌保护器 | ||
1.一种阻断型浪涌保护器件，其特征在于：包括第一耗尽型场效应晶体管、第二耗尽型场效应晶体管以及第一电阻，所述浪涌保护器件的第一耗尽型场效应晶体管的源极与第二耗尽型场效应晶体管的源极相连，构成串联结构，其中，所述的第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与模块输出端相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一电阻连接，第一电阻再与模块输入端相连；
所述的浪涌保护器件还包括反馈分压器，反馈分压器并联于第二耗尽型场效应晶体管的漏极和源极之间，反馈分压器中间节点与第一耗尽型场效应晶体管的栅极相连，第一耗尽型场效应晶体管的栅极经该反馈分压器与模块输出端相连。
2.根据权利要求1所述的阻断型浪涌保护器件，其特征在于：所述反馈分压器由第三电阻和第四电阻构成，第三电阻和第四电阻在第二耗尽型场效应晶体管源极和漏极之间并联。
3.根据权利要求1或2所述的阻断型浪涌保护器件，其特征在于：所述的第一、第二耗尽型场效应晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管及静电感应场效应晶体管中的一种。
4.根据权利要求3所述的阻断型浪涌保护器件，其特征在于：所述的第一耗尽型场效应晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管。
5.根据权利要求4所述的阻断型浪涌保护器件，其特征在于：所述的第一耗尽型场效应晶体管为高压金属氧化物半导体场效应晶体管。
6.根据权利要求3所述的阻断型浪涌保护器件，其特征在于：所述浪涌保护器件的第一耗尽型场效应晶体管的导电沟道类型与所述第二耗尽型场效应晶体管的导电沟道类型相反。
7.根据权利要求6所述的阻断型浪涌保护器件，其特征在于：当浪涌保护器件用于阻断正向浪涌时，所述第一耗尽型场效应晶体管为耗尽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二耗尽型场效应晶体管为耗尽型P沟道结型场效应晶体管；当浪涌保护器件用于阻断反向浪涌时，所述第一耗尽型场效应晶体管为耗尽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二耗尽型场效应晶体管为耗尽型N沟道结型场效应晶体管。
8.根据权利要求7所述的阻断型浪涌保护器件，其特征在于：所述的第一耗尽型场效应晶体管为高压耗尽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，第二耗尽型场效应晶体管为耗尽型P沟道结型场效应晶体管，在第一耗尽型场效应晶体管的漏源极内部设置一个高压的反向二极管。
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