[发明专利]形成栅极结构侧墙的方法有效
| 申请号： | 200910199229.1 | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102074467A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;沈满华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 栅极 结构 方法 | ||
1.一种形成栅极结构侧墙的方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构、覆盖栅极结构和半导体衬底的侧墙层；
刻蚀栅极结构侧壁上的侧墙层，直到所述侧墙层沿垂直于栅极结构侧壁方向的厚度达到预定尺寸；
刻蚀所述覆盖栅极结构和半导体衬底的侧墙层，直到栅极结构顶部和半导体衬底上的侧墙层被去除。
2.根据权利要求1所述的形成栅极结构侧墙的方法，其特征在于，所述刻蚀栅极结构侧壁上的侧墙层步骤之前还包括：
对所述侧墙层的厚度进行测量，根据所述侧墙层的厚度确定需要刻蚀去除的栅极结构侧壁上的侧墙层厚度。
3.根据权利要求2所述的形成栅极结构侧墙的方法，其特征在于，所述对所述侧墙层的厚度进行测量为：测量栅极结构侧壁上的沿垂直于栅极结构侧壁方向的侧墙层的厚度。
4.根据权利要求3所述的形成栅极结构侧墙的方法，其特征在于，所述测量利用光学关键尺寸测量。
5.根据权利要求1所述的形成栅极结构侧墙的方法，其特征在于，所述刻蚀栅极结构侧壁上的侧墙层的步骤为各向同性刻蚀。
6.根据权利要求5所述的形成栅极结构侧墙的方法，其特征在于，所述刻蚀栅极结构侧壁上的侧墙层的参数为：腔室压强0mt至5mt，电源功率200V至1000V，偏置电压0V至100V，刻蚀气体的流量为100sccm至500sccm。
7.根据权利要求6所述的形成栅极结构侧墙的方法，其特征在于，刻蚀气体包括CF4、CHF3、CH2F2、CH3F、C4F8或者C5F8中的一种或其组合。
8.根据权利要求7所述的形成栅极结构侧墙的方法，其特征在于，刻蚀气体还包括惰性气体。
9.根据权利要求1所述的形成栅极结构侧墙的方法，其特征在于，所述刻蚀所述覆盖栅极结构和半导体衬底的侧墙层，为沿垂直于半导体衬底表面的各向异性刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
