[发明专利]实现信息光记录和电读出的方法及其元件结构无效
申请号: | 200910199328.X | 申请日: | 2009-11-25 |
公开(公告)号: | CN101714372A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 翟凤潇;王阳;黄欢;吴谊群 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G11B11/12 | 分类号: | G11B11/12 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 张泽纯 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 实现 信息 记录 读出 方法 及其 元件 结构 | ||
1.一种实现信息光记录和电读出的方法,其特征在于:在记录过程中,利用超短皮秒脉冲激光照射到相变记录层(2)上,诱导该相变记录层(2)发生相变,形成相变记录点;利用导电探针探测所述的相变记录点的电阻与非相变区的电阻的对比度,实现信息记录点的读出。
2.一种适用于权利要求1所述的实现信息光记录和电读出的方法的元件结构,其特征在于依次包含圆盘状透明的基底(1)、用作下电极的金属层(6)、用作记录层的相变记录层(2)。
3.根据权利要求2所述的元件结构,其特征在于所述的基底是玻璃或聚碳酸酯材料,厚度为0.6-1.2毫米。
4.根据权利要求2所述的元件结构,其特征在于所述的金属层(6)为Ag或Cu或Au或Al材料,利用磁控溅射法制备沉积在所述的基底上,厚度为10-200纳米。
5.根据权利要求2所述的元件结构,其特征在于所述的相变记录层(2)为SiSb、或SiSbTe、或AgInSbTe、或GeSbTe相变介质材料,利用磁控溅射射法沉积在所述的金属层(6)上,其厚度为10-200纳米。
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