[发明专利]一种带有绝缘埋层的晶圆的表面处理方法

权利要求书

1.一种带有绝缘埋层的晶圆的表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一晶圆，所述晶圆包括支撑衬底、顶层半导体层以及设置于两者之间 的绝缘埋层，所述顶层半导体层的材料为单晶硅；

对顶层半导体层实施化学机械抛光，所述抛光工艺的抛光压力是20至 35kPa；

清洗抛光后的表面，所述清洗采用将双氧水和氨水与纯净水相互混合的方 法制备而成，混合前双氧水和氨水任意一种的体积都低于纯净水体积的 1/150。

2.根据权利要求1所述的带有绝缘埋层的晶圆的表面处理方法，其特征在于， 所述清洗的步骤在兆声环境中进行。

3.根据权利要求1或2所述的带有绝缘埋层的晶圆的表面处理方法，其特征 在于，所述清洗的时间为8至10分钟。

4.根据权利要求1所述的带有绝缘埋层的晶圆的表面处理方法，其特征在于， 所述抛光步骤中大盘转速50至70转/分，抛头转速40至60转/分。

5.根据权利要求1或4所述的带有绝缘埋层的晶圆的表面处理方法，其特征 在于，大盘温度范围是28至35℃。

6.根据权利要求1所述的带有绝缘埋层的晶圆的表面处理方法，其特征在于， 所述顶层半导体层的厚度小于200nm。