[发明专利]采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法

权利要求书

1.一种采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法，其特征在于，包括如 下步骤：

提供一支撑衬底以及一键合衬底，所述支撑衬底表面具有绝缘层，所述键 合衬底表面具有自停止层，所述自停止层表面具有薄膜半导体层，所述键 合衬底的材料为单晶硅，所述自停止层的材料为氧化硅；

以薄膜半导体层和绝缘层的暴露表面为键合面将支撑衬底与键合衬底键 合；

采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀键合衬底的第一腐蚀液，所述第一腐蚀液为 四甲基氢氧化铵，腐蚀液采用喷射的方式喷射到键合衬底中心的表面，键 合衬底的旋转速度为每分钟3000至10000周，将键合衬底腐蚀除去；

采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀自停止层的第二腐蚀液，所述第二腐蚀液为 氢氟酸，腐蚀液采用喷射的方式喷射到自停止层中心的表面，衬底的旋转 速度为每分钟3000至10000周，将自停止层腐蚀除去。

2.根据权利要求1所述的采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法，其 特征在于，所述键合衬底与薄膜半导体层的材料相同。

3.根据权利要求1所述的采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法，其 特征在于，所述自停止层与绝缘层的材料相同。

4.根据权利要求1所述的采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法，其 特征在于，所述除去键合衬底的工艺旋转腐蚀工艺中，腐蚀液的温度范围 是80℃至100℃。

5.根据权利要求1至3任意一项所述的采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬 底的方法，其特征在于，在采用旋转腐蚀工艺除去键合衬底的步骤之前， 首先采用研磨工艺减薄键合衬底。