[发明专利]宽度偏移量的确定方法

权利要求书

1.利用MOSFET输入输出特性确定MOSFET BSIM模型参数宽度偏移量的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1)提供至少三个相同沟道长度L，其中L≥10um、不同沟道宽度设计值W_drawnd的MOSFET器件；

2)选定快速扫描电压递增幅度值ΔV_ds，根据该快速扫描电压递增幅度值ΔV_ds，使用半导体参数测试仪分别测量上述MOSFET器件的I_ds-V_ds电学特性并绘制各自的I_ds-V_ds曲线；

3)采用数值二阶微分法对所得的漏极电流I_ds进行数学变换，获得漏极电流I_ds对漏极电压V_ds的二阶微分值I_ds″；

4)选择漏极电压V_ds，在直角坐标系中绘制所有器件在该漏极电压V_ds下的二阶微分值I_ds″与沟道宽度设计值W_drawn的线性曲线，该漏极电压V_ds的选择保证MOSFET器件工作在线性区；

5)延长步骤4)获得的线性曲线直至与直角坐标系中的代表沟道宽度设计值W_drawn的横轴相交，交点值的一半即为宽度偏移量；

所述步骤3)中的二阶微分法求的二阶微分值I_ds″是采用公式

Id′′=ΔIds′ΔVds=Ids′(Vds+ΔVds)+Ids′(Vds-ΔVds)-2Ids′(Vds)2ΔVds]]>

=Ids(Vds+2ΔVds)+Ids(Vds-2ΔVds)-2Ids(Vds)(2ΔVds)2]]>

其中，V_ds为漏极电压，I_ds为漏极电流，ΔI_ds′为漏极电流I_ds导数的增量，ΔV_ds为漏极的快速扫描电压递增幅度值。