[发明专利]一种自供电集成电路芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种集成电路芯片，其特征在于，该芯片包括一个半导体衬底以及在该衬底上的 集成电路和太阳能电池；所述的集成电路由所述的太阳能电池进行供电；

所述的集成电路包含金属-氧化物-半导体场效应晶体管；所述的金属-氧化物-半 导体场效应晶体管为N型金属-氧化物-半导体，或P型金属-氧化物-半导体场效应晶 体管；

所述的太阳能电池包括第一电极层、第二电极层、置于第一电极层和第二电极层之间 的栅极结构、和置于第二电极层和栅极结构之间的半导体衬底，其中第一电极层具有丝网 状的结构，并且其中由于从第一电极层侧入射的光而产生光电动势。

2.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于，所述的金属-氧化物-半导体 场效应晶体管包括半导体衬底、在半导体衬底之上的栅极结构、位于栅极结构两侧半导体 衬底中的源区和漏区以及栅极结构两侧的侧墙结构。

3.如权利要求2所述的集成电路芯片，其特征在于，半导体场效应晶体管中，所述 的栅极结构包括至少一个导电层和一个将导电层与半导体衬底隔离的绝缘层。

4.如权利要求3所述的集成电路芯片结构，其特征在于所述的绝缘层是二氧化硅、 氮化硅、氧化铝、氧化铪或它们之中几种的混合物。

5.如权利要求3所述的集成电路芯片，其特征在于所述的绝缘层的厚度范围是1纳 米至20纳米。

6.如权利要求3所述的集成电路芯片，其特征在于所述的导电层为多晶硅、氮化钛、 氮化钽、钨金属或金属硅化物。

7.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于在太阳能电池中，所述的半导体衬 底为由杂质掺杂形成的单一的N型、由杂质掺杂形成的单一的P型或者同时具有由杂质掺杂 形成的N型和P型区域并且它们之间形成一个P-N结。

8.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于在太阳能电池中，所述的半导体衬 底层为单晶硅、多晶硅、硅锗或锗。

9.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于在太阳能电池中，所述的栅极结构 包括至少拥有一个导电层和一个将导电层与半导体衬底隔离的绝缘层。

10.如权利要求9所述的集成电路芯片，其特征在于在太阳能电池中，所述的导电层 是多晶硅、氮化钛、氮化钽、钨金属或金属硅化物。

11.如权利要求9所述的集成电路芯片，其特征在于在太阳能电池中，所述的绝缘层 是二氧化硅、氮化硅、氧化铝或氧化铪，或它们之中几种的混合物。

12.如权利要求9所述的集成电路芯片，其特征在于在太阳能电池中，所述的绝缘层 的厚度范围是0.5纳米至3纳米。

13.如权利要求9所述的集成电路芯片，其特征在于在太阳能电池中，所述的导电层 厚度是10纳米至100纳米。

14.一种如权利要求1所述的集成电路芯片的制备方法，其特征在于，在一个半导体 衬底上同时形成集成电路和太阳能电池，所述集成电路包含金属-氧化物-半导体场效应 晶体管。