[发明专利]一种三极管基区结构

权利要求书

1.一种三极管基区结构，所述三极管包括发射区、基区和集电区，所述 集电区为单晶硅材质，所述基区位于所述发射区和所述集电区之间，其特征 在于所述基区包括从集电区一侧到发射区一侧依次形成的无掺杂多晶硅层、 锗硅层或锗硅炭层以及掺杂多晶硅层，其中所述无掺杂多晶硅层和所述集电 区相连，所述掺杂多晶硅层和所述发射区相连。

2.根据权利要求1所述的一种三极管基区结构，其特征在于所述无掺杂 多晶硅层的厚度范围为0.1纳米至10000微米。

3.根据权利要求1所述的一种三极管基区结构，其特征在于所述锗硅层 或锗硅炭层的厚度范围为0.1纳米至10000微米。

4.根据权利要求1所述的一种三极管基区结构，其特征在于所述掺杂多 晶硅层的厚度范围为0.1纳米至10000微米。

5.根据权利要求1所述的一种三极管基区结构，其特征在于所述掺杂多 晶硅层的杂质浓度的范围为1e¹至1e²⁰个/立方厘米。

6.根据权利要求1所述的一种三极管基区结构，其特征在于所述掺杂多 晶硅层的杂质为硼或磷。