[发明专利]化学机械抛光的方法有效
| 申请号： | 200910200019.X | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102085636A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 彭澎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B37/04;H01L21/02;H01L21/70;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 | ||
1.一种化学机械抛光的方法，其特征在于，将化学机械抛光设备更换耗材后到所述化学机械抛光设备达到最佳工作状态时的时间段定义为磨合期，
在所述磨合期内对晶片以固定的抛光时间进行抛光，
在所述磨合期之外对晶片以不固定的抛光时间进行抛光。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以所要抛光的晶片批次来确定所述磨合期的时间周期长度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以所述更换的耗材的寿命来确定所述磨合期的时间周期长度。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磨合期内的晶片抛光包括第一抛光阶段和第二抛光阶段。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一抛光阶段的抛光时间设定为120～140秒。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二抛光阶段的抛光时间设定为120～140秒。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一抛光阶段的抛光时间设定为100～120秒。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二抛光阶段的抛光时间设定为100～120秒。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一抛光阶段的抛光时间设定为125～135秒。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二抛光阶段的抛光时间设定为125～135秒。
11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一抛光阶段的抛光时间设定为105～115秒。
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二抛光阶段的抛光时间设定为105～115秒。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磨合期之外的晶片抛光包括第一抛光阶段和第二抛光阶段。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一抛光阶段的抛光时间设定为75～85秒。
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第二抛光阶段的抛光时间为所述磨合期之外的晶片的第一抛光阶段完成后直到去除抛光停止层厚度的20％～40％时所用的时间。
16.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式DRAM和射频电路。
17.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。
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