[发明专利]高密度深刻蚀正弦槽型光栅偏振分束器无效
| 申请号： | 200910200158.2 | 申请日： | 2009-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101718883A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 周常河;冯吉军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高密度 深刻 正弦 光栅 偏振 分束器 | ||
【权利要求书】：
1.一种高密度深刻蚀正弦槽型石英透射光栅偏振分束器，其特征在于所述的深刻蚀正弦槽型石英透射光栅的周期和波长的比值为0.789，深度和周期的比值为4.938。
2.根据权利要求1所述的高密度深刻蚀正弦槽型石英透射光栅偏振分束器，其特征在于，在1064纳米波段，该光栅的周期为839纳米、刻蚀深度为4.010～4.273微米。
3.根据权利要求2所述的高密度深刻蚀正弦槽型石英透射光栅偏振分束器，其特征在于，所述的光栅的周期为839纳米，刻蚀深度为4143微米。
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