[发明专利]半导体电容装置

权利要求书

1.一种半导体电容装置，至少包括依次叠置的第一金属层、第一介电层、第二金属层；

所述第一金属层包括沿第一分布方向分布且彼此平行的复数条第一金属条，第一分布方向与第一金属条的延伸方向垂直；

所述第二金属层包括沿第二分布方向分布且彼此平行的复数条第二金属条，第二分布方向与第二金属条的延伸方向垂直，且第二分布方向与第一分布方向空间相离；

沿着第一分布方向分布的第奇数条第一金属条与沿着第二分布方向分布的第奇数条第二金属条通过插塞导通、沿着第一分布方向分布的第偶数条第一金属条与沿着第二分布方向分布的第偶数条第二金属条通过插塞导通，或者沿着第一分布方向分布的第奇数条第一金属条与沿着第二分布方向分布的第偶数条第二金属条通过插塞导通、沿着第一分布方向分布的第偶数条第一金属条与沿着第二分布方向分布的第奇数条第二金属条通过插塞导通。

2.根据权利要求1所述的半导体电容装置，其特征在于：在第二金属层上设置有第二介电层，第二介电层上设置有第三金属层，所述第三金属层的结构与第一金属层相同，所述插塞贯穿第二介电层并连通第三金属层。

3.根据权利要求2所述的半导体电容装置，其特征在于：在第三金属层上设置有第三介电层，第三介电层上设置有第四金属层，所述第四金属层的结构与第二金属层相同，所述插塞贯穿第三介电层并连通第四金属层。

4.根据权利要求1所述的半导体电容装置，其特征在于：第一分布方向与第二分布方向空间垂直。

5.根据权利要求1所述的半导体电容装置，其特征在于：第二金属层中的第一条第二金属条以及最末偶数条第二金属条上连接有电源引线。

6.根据权利要求1所述的半导体电容装置，其特征在于：所述第一金属条、第二金属条的材质为铜。

7.根据权利要求1所述的半导体电容装置，其特征在于：所述第一介电层的材质为氧化硅。