[发明专利]复合介电层及其制作方法有效
| 申请号： | 200910200945.7 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN102110669A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张彬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 介电层 及其 制作方法 | ||
1.一种复合介电层，其特征在于，包括：氮掺杂的碳化硅层，碳掺杂的氧化硅层以及位于氮掺杂的碳化硅层和碳掺杂的氧化硅层之间的连接层。
2.根据权利要求1所述的复合介电层，其特征在于，所述的连接层的材料包括氧化硅或氧化硅与碳掺杂的氧化硅混合物。
3.根据权利要求1所述的复合介电层，其特征在于，所述的连接层的厚度为150至200埃。
4.根据权利要求1所述的复合介电层，其特征在于，连接层的制作方法为：在进行化学气相沉积反应的反应腔中通入流量范围为100～500sccm的八甲基环化四硅氧烷或者碳氢化合物；流量范围为100～300sccm的O2或者甲基二乙氧基硅烷，以及流量范围为500～5000sccm的He。
5.根据权利要求1所述的复合介电层，其特征在于，所述氮掺杂的碳化硅层110的厚度范围为200埃～1000埃。
6.根据权利要求1所述的复合介电层，其特征在于，所述碳掺杂的氧化硅层厚度范围为1500～6600埃。
7.一种复合介电层的制作方法，包括：
在基底上沉积氮掺杂的碳化硅层；
在氮掺杂的碳化硅层上沉积连接层；
在连接层上沉积碳掺杂的氧化硅层。
8.根据权利要求7所述的复合介电层的制作方法，其特征在于，所述的连接层的厚度为150至200埃。
9.根据权利要求7所述的复合介电层的制作方法，其特征在于，所述连接层的制作方法为：在进行化学气相沉积反应的反应腔中通入流量范围为100～500sccm的八甲基环化四硅氧烷或者碳氢化合物；流量范围为100～300sccm的O2或者甲基二乙氧基硅烷，以及流量范围为500～5000sccm的He。
10.根据权利要求7所述的复合介电层的制作方法，其特征在于，所述氮掺杂的碳化硅层110的厚度范围为200埃～1000埃。
11.根据权利要求7所述的复合介电层的制作方法，其特征在于，所述碳掺杂的氧化硅层厚度范围为1500～6600埃。
12.根据权利要求7所述的复合介电层的制作方法，其特征在于，还包括依次在碳掺杂的氧化硅层上沉积连接层，氮掺杂的碳化硅层，连接层，碳掺杂的氧化硅层的工艺步骤。
13.一种复合介电层的制作方法，包括：在基底上沉积碳掺杂的氧化硅层；在碳掺杂的氧化硅层上沉积连接层；在连接层上沉积氮掺杂的碳化硅层。
14.根据权利要求13所述的复合介电层的制作方法，其特征在于，所述的连接层的厚度为150至200埃。
15.根据权利要求13所述的复合介电层的制作方法，其特征在于，所述连接层的制作方法为：在进行化学气相沉积反应的反应腔中通入流量范围为100～500sccm的八甲基环化四硅氧烷或者碳氢化合物；流量范围为100～300sccm的O2或者甲基二乙氧基硅烷，以及流量范围为500～5000sccm的He。
16.根据权利要求13所述的复合介电层的制作方法，其特征在于，所述氮掺杂的碳化硅层110的厚度范围为200埃～1000埃。
17.根据权利要求13所述的复合介电层的制作方法，其特征在于，所述碳掺杂的氧化硅层厚度范围为1500～6600埃。
18.根据权利要求13所述的复合介电层的制作方法，其特征在于，还包括依次在氮掺杂的碳化硅层上沉积连接层，碳掺杂的氧化硅层，连接层，氮掺杂的碳化硅层的工艺步骤。
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