[发明专利]一种白光LED芯片及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910200961.6 申请日: 2009-12-25
公开(公告)号: CN101771028A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 肖德元;王曦;陈静 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L21/50;H01L33/48;H01L33/58
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 余明伟;冯珺
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 白光 led 芯片 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种白光LED芯片,其特征在于:

包括构成顺次构成层叠结构的第一类型LED芯片、第二类型LED芯片、及第三类型LED 芯片;

所述第一类型LED芯片、所述第二类型LED芯片、及所述第三类型LED芯片均包括一层 透明介质层、及位于所述透明介质层上的间隔排列的基本发光单元与环氧树脂透镜,每一基 本发光单元均在其顶端接有一个上电极,在其底端接有一个下电极,且所述第一类型LED芯 片、所述第二类型LED芯片、及所述第三类型LED芯片的基本发光单元上下位置对应,所述 第一类型LED芯片、所述第二类型LED芯片、及所述第三类型LED芯片的环氧树脂透镜上下 位置对应;

其中,所述基本发光单元的横截面为梯形,以使所述基本发光单元能够从侧壁出光;所 述环氧树脂透镜的横截面为由倒梯形及位于倒梯形顶面的弧面共同构成的图形,以使所述环 氧树脂透镜能够汇聚所述基本发光单元从侧壁发出的光并形成向上的出光。

2.如权利要求1所述的白光LED芯片,其特征在于:所述基本发光单元包括衬底层、 N型外延层、有源层、及P型外延层。

3.如权利要求2所述的白光LED芯片,其特征在于:所述第二类型LED芯片的基本 发光单元的衬底层、N型外延层、有源层、及P型外延层与所述第一类型、所述第三类型的 基本发光单元结构的衬底层、N型外延层、有源层、及P型外延层排列顺序相反,且所述第 二类型LED芯片的上电极与下电极的材料亦与所述第一类型、所述第三类型的上电极与下电 极的材料相反。

4.如权利要求2所述的白光LED芯片,其特征在于:所述第一类型LED芯片、所述第 二类型LED芯片、及所述第三类型LED芯片分别为蓝光LED芯片、红光LED芯片、及绿光LED 芯片中的一种;其中,所述蓝光LED芯片的衬底为GaN层,有源层为InGaN;所述红光LED 芯片的衬底为GaP层,有源层为AllnGaP层;所述绿光LED芯片的衬底为GaN层,有源层 为InGaN/GaN量子阱层。

5.如权利要求1所述的白光LED芯片,其特征在于:所述第一类型LED芯片的下电 极与所述第二类型LED芯片的上电极键合,所述第二类型LED芯片的下电极与所述第三类型 LED芯片的上电极键合。

6.如权利要求5所述的白光LED芯片,其特征在于:所述第一类型LED芯片的上电 极与所述第二类型LED芯片的下电极连接,所述第二类型LED芯片的上电极与所述第三类型 LED芯片的下电极连接。

7.如权利要求1所述的白光LED芯片,其特征在于:所述梯形的锐角为45°至70°。

8.如权利要求1所述的白光LED芯片,其特征在于:所述第一类型LED芯片的环氧 树脂透镜底面面积大于所述第二类型LED芯片的环氧树脂透镜向上出光的范围,所述第二类 型LED芯片的环氧树脂透镜底面面积大于所述第三类型LED芯片的环氧树脂向上出光的范 围。

9.如权利要求1所述的白光LED芯片,其特征在于:所述透明介质层的材料为二氧化 硅。

10.如权利要求1所述的白光LED芯片,其特征在于:所述第一类型LED芯片的上电极 与上电极、下电极与下电极之间均电性连接,所述第二类型LED芯片的上电极与上电极、下 电极与下电极之间均电性连接,所述第三类型LED芯片的上电极与上电极、下电极与下电极 之间均电性连接。

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