[发明专利]制作扩散阻挡层的方法有效
| 申请号： | 200910200988.5 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102110639A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 徐强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 扩散 阻挡 方法 | ||
1.一种制作扩散阻挡层的方法，该方法包括：
在反应腔中通入稀释性气体、三甲基硅烷和氨气，利用多频等离子化学气相沉积在填充于互连槽的铜表面和介质层表面淀积一层扩散阻挡层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在反应腔中通入稀释性气体、三甲基硅烷和氨气之前进一步包括：
在反应腔内通入稀释性气体和氨气，利用多频等离子化学气相沉积去除填充于互连槽的铜表面的氧化铜。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在填充于互连槽的铜表面和介质层表面淀积一层扩散阻挡层所采用的多频等离子化学气相沉积包含高频等离子化学气相沉积和低频等离子化学气相沉积；
所述高频等离子化学气相沉积的高频离子发生器的射频功率与所述低频等离子化学气相沉积的低频离子发生器的射频功率的比值为1至1.5。
4.根据权利3所述的方法，其特征在于，所述去除填充于互连槽的铜表面的氧化铜所采用的多频等离子化学气相沉积包含高频等离子化学气相沉积和低频等离子化学气相沉积；
所述高频等离子化学气相沉积的高频离子发生器的射频功率与所述低频等离子化学气相沉积的低频离子发生器的射频功率的比值为2至2.5。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述扩散阻挡层为掺碳的氮化硅层。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述稀释性气体为氮气。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述三甲基硅烷和氨气的流量比为3.3至4.4。
8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在填充于互连槽的铜表面和介质层表面淀积一层扩散阻挡层时，所述稀释性气体的流量为50标准立方厘米/分钟至100标准立方厘米/分钟，所述氨气的流量为800标准立方厘米/分钟至1500标准立方厘米/分钟，所述三甲基硅烷的流量为240标准立方厘米/分钟至340标准立方厘米/分钟，所述高频等离子化学气相沉积的高频离子发生器的射频功率为150W至300W，所述低频等离子化学气相沉积的低频离子发生器的射频功率为100W至300W。
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