[发明专利]制造半导体器件层的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件层的方法，该方法包括：

在半导体器件的衬底形成阱后，形成隔离浅沟槽，在半导体器件的衬底上形成栅极；

对栅极和半导体器件衬底进行碳杂质的离子注入；

对栅极表面及半导体器件衬底表面再氧化后，对栅极和半导体器件衬底进行轻掺杂，在半导体器件衬底形成浅结；

形成所述栅极的氮氧化物侧墙，对栅极和半导体器件衬底进行掺杂，在半导体器件沉积形成漏极和源极；

采用自对准硅化物方法在栅极表面和半导体衬底沉积金属，形成金属化硅层，然后进行快速退火处理后，刻蚀掉未反应的金属。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述再氧化后，进行快速退火处理。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述碳杂质注入的能量为3～20千电子伏特，剂量为5.0E13～1.0E15原子/平方厘米，离子注入的角度为0～15度，半导体器件的衬底101水平旋转的范围为0～45度。