[发明专利]清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法及接触孔的形成方法有效
| 申请号： | 200910201198.9 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102091703A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;尹晓明;孙武;黄怡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 刻蚀 侧壁 聚合物 方法 接触 形成 | ||
1.一种清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法，其特征在于，包括：
向刻蚀腔室内通入气体，对刻蚀腔室侧壁的聚合物进行清洗；
在设定的工作频率下，随着清洗时间的增加减小刻蚀腔室的功率。
2.根据权利要求1所述的清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法，其特征在于，所述预定的工作频率为55MHz～65MHz。
3.根据权利要求1所述的清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法，其特征在于，所述清洗时间由0秒向40秒渐变。
4.根据权利要求1所述的清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法，其特征在于，所述刻蚀腔室的功率由700W向0W渐变。
5.根据权利要求1所述的清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法，其特征在于，所述向刻蚀腔室内通入的气体为氩气和氧气。
6.根据权利要求1所述的清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法，其特征在于，所述刻蚀腔室的功率随清洗时间呈线性下降。
7.一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：
向刻蚀腔室内通入气体，对刻蚀腔室侧壁的聚合物进行清洗；
在设定的工作频率下，随着清洗时间的增加减小刻蚀腔室的功率；
将依次形成有布线层、绝缘介质层和图案化光刻胶层的半导体衬底放入刻蚀腔室内；
以图案化光刻胶层为掩膜，刻蚀绝缘介质层至露出布线层，形成接触孔，
所述接触孔的线宽为目标尺寸；
去除图案化光刻胶层。
8.根据权利要求7所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述预定的工作频率为55MHz～65MHz。
9.根据权利要求7所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述清洗时间由0秒向40秒渐变。
10.根据权利要求7所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述刻蚀腔室的功率由700W向0W渐变。
11.根据权利要求7所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述向刻蚀腔室内通入的气体为氩气和氧气。
12.根据权利要求7所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述刻蚀腔室的功率随清洗时间呈线性下降。
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