[发明专利]一种LED的固晶方法无效
申请号: | 200910201265.7 | 申请日: | 2009-12-17 |
公开(公告)号: | CN101740712A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 韩凯;沈兰新;刘木清 | 申请(专利权)人: | 上海靖耕照明电器有限公司 |
主分类号: | H01L33/64 | 分类号: | H01L33/64 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 张磊 |
地址: | 200433 上海市杨浦区四平*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 方法 | ||
1.一种LED的固晶方法,其特征在于具体步骤如下:
将锡、银和铜按比例混合制成合金,所得合金可直接在PCB基板电极上制作成合金薄层或与助焊剂按比例混合制备成锡膏,将助焊剂或锡膏点到PCB基板电极上,再将LED芯片放置于助焊剂或锡膏上,并施加压力使LED芯片下助焊剂或锡膏形成一层薄层,采用加热设备按照优化的温度曲线对所述的混合层加热至合金锡膏熔化,助焊剂挥发,冷却,即完成LED的固晶。
2.根据权利要求1所述的LED的固晶方法,其特征在于所述合金是合金球或合金薄层。
3.根据权利要求1所述的LED的固晶方法,其特征在于所述合金中,锡、银和铜三者的比例为95.5∶3.8∶0.7或96.5∶3∶0.5。
4.根据权利要求1所述的LED的固晶方法,其特征在于所述合金薄层可以通过气相物理淀积的方法在PCB基板电极上生长得到。
5.根据权利要求1所述的LED的固晶方法,其特征在于所述助焊剂采用Indium公司的TACFlux02或nf260中任一种。
6.根据权利要求1所述的LED的固晶方法,其特征在于所述锡膏中合金与助焊剂的比例为84∶16--90∶10。
7.根据权利要求1所述的LED的固晶方法,其特征在于所述加热设备为回流焊机或加热平台。
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