[发明专利]一种侧墙回刻方法

权利要求书

1.一种氮化硅侧墙的回刻方法，

应用在具有栅极、栅氧化层、氧化层侧墙、氮化硅侧墙和金属硅化物的半导体衬底结构上，其中，所述栅氧化层和栅极依次位于半导体衬底上，氧化层侧墙位于所述栅极侧壁，氮化硅侧墙位于所述氧化层侧墙上，源极和漏极位于栅极两侧的半导体衬底中，金属硅化物位于所述源、漏极上以及栅极顶部；该方法包括：

通过氧化所述金属硅化物，在金属硅化物上形成二氧化硅和金属氧化物混合层；

回刻氮化硅侧墙。

2.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述金属硅化物为镍化硅或钛化硅。

3.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述氧化所述金属硅化物是用通入氧气的方法实现。

4.如权利要求3所述方法，其特征在于，所述氧气的流量范围是50标况毫升每分到200标况毫升每分。

5.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述氧化的加偏压范围是0伏特到100伏特。

6.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述二氧化硅和金属氧化物混合层的厚度范围是5埃到10埃。