[发明专利]钨双大马士革工艺

权利要求书

1.一种钨双大马士革工艺，晶圆上包括依次从下到上的下层金属层、金属覆盖层、层间介质层、金属布线槽阻挡层、上层金属层，下层金属层中有填充有金属的金属布线槽，其特征在于，包括以下步骤：

一.通孔的光刻与刻蚀，通孔由晶圆表面上层金属层至下层金属层中的金属布线槽；

二.在所述通孔中填充钨；

三.上层金属层中的金属布线槽的光刻和钨刻蚀，将上层金属层中的金属布线槽上方的钨去除；

四.上层金属层中的金属布线槽刻蚀，形成上层金属层中的金属布线槽；

五.对通孔和上层金属层中的金属布线槽进行钨填充；

六.钨化学机械抛光，磨去晶圆表面多余的钨。

2.根据权利要求1所述的钨双大马士革工艺，其特征在于，所述上层金属层中的金属布线槽的刻蚀是干法刻蚀或湿法刻蚀。

3.根据权利要求2所述的钨双大马士革工艺，其特征在于，所述上层金属层中的金属布线槽的刻蚀，其刻蚀过程分为两个阶段，第一阶段刻蚀工艺，采用对上层金属层介质材料有高选择比的工艺刻蚀钨，并且停留在层间介质层之上，第二阶段刻蚀工艺，采用对钨有高选择比的工艺刻蚀上层金属层介质材料。