[发明专利]反射型光纤核辐射传感器

权利要求书

1.一种反射型光纤核辐射传感器，包括一光纤分路器及一光纤耦合器，其特征在于：

所述光纤分路器的输入端与一光源连接，所述光纤分路器的第一输出端与所述光纤耦合器的输入端连接，所述光纤分路器的第二输出端与一光接收模块的第二输入端连接，所述光纤耦合器的通信端通过一传感光纤与一光反射镜连接；所述光纤耦合器的输出端与所述光接收模块的第一输入端连接，所述光接收模块与一微处理器连接。

2.根据权利要求1所述的反射型光纤核辐射传感器，其特征在于：

所述传感光纤为吸收辐射与光传导的传感铅玻璃光纤，所述传感光纤的吸收损耗与核辐射作用的强度具有一定的线性关系。

3.根据权利要求1所述的反射型光纤核辐射传感器，其特征在于：

所述光源为输出波长为1310nm的半导体激光器发出的激光光源。

4.根据权利要求1所述的反射型光纤核辐射传感器，其特征在于：

所述光接收模块包括光探测器、放大电路和滤波电路，所述光探测器为同轴尾纤型PIN光电探测器。

5.根据权利要求1所述的反射型光纤核辐射传感器，其特征在于：

所述光反射镜为单面抛光的高反射率半导体晶片。

6.根据权利要求1所述的反射型光纤核辐射传感器，其特征在于：

所述光源经所述光纤分路器分为第一光束和第二光束，第一光束接入所述光接收模块的第二输入端，第二光束依次通过所述光纤耦合器、所述传感光纤、所述反射镜后反射回到所述光纤耦合器，由光纤耦合器到达所述光接收模块的第一输入端，所述微处理器通过计算核辐射导致所述传感光纤的吸收损耗增加的特性关系得到核辐射强度值。

7.根据权利要求1所述的反射型光纤核辐射传感器，其特征在于：

所述微处理器的计算公式为：

P₀₀/P₁₁＝KX/(1-X)

其中K分别为所述传感光纤被核辐射作用发生的损耗系数，X∶(1-X)为所述光纤分路器的分光比值。