[发明专利]采用ND3和N2混合气体退火制造SONOS闪存器件的方法

权利要求书

1.一种采用ND3和N2混合气体退火制造SONOS闪存器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，接触孔刻蚀；

第二步，采用ND3和N2混合气体进行退火；

第三步，阻挡金属层和W金属淀积。

2.如权利要求要求1所述的采用ND3和N2混合气体退火制造SONOS闪存器件的方法，其特征在于，第二步中，退火的温度是350-450℃，退火的时间是30-90分钟。

3.如权利要求要求1或2所述的采用ND3和N2混合气体退火制造SONOS闪存器件的方法，其特征在于，第二步中，所述ND3和N2混合气体的比例为1∶(1-20)。

4.如权利要求要求1所述的采用ND3和N2混合气体退火制造SONOS闪存器件的方法，其特征在于，第二步中，ND3气体中的D可以饱和硅悬挂键，形成强度更高的硅-氘键，在退火的过程中，隧穿氧化层和硅衬底界面处的悬挂键可以被硅-氘键饱和，以提高界面处的电学特性，进而提高SONOS闪存器件可靠性。

5.如权利要求要求1所述的采用ND3和N2混合气体退火制造SONOS闪存器件的方法，其特征在于，第一步具体为：首先，在硅衬底上沉积SONOS ONO层，在SONOS ONO层上沉积多晶硅层和氮化硅侧墙；之后再淀积中间介质氧化层，在中间介质氧化层上刻蚀接触孔。

6.如权利要求要求1或5所述的采用ND3和N2混合气体退火制造SONOS闪存器件的方法，其特征在于，第一步中，所述刻蚀接触孔采用干法刻蚀工艺，主要采用氟碳系的刻蚀气体，先刻蚀去除接触孔内的氧化层，然后通过中间介质氧化层和硅衬底的选择比来停止刻蚀工艺。

7.如权利要求要求1所述的采用ND3和N2混合气体退火制造SONOS闪存器件的方法，其特征在于，第三步中，首先在接触孔内壁淀积一层阻挡金属层，采用化学汽相淀积工艺，工艺温度为300-500摄氏度；然后在接触孔内淀积W金属，采用化学汽相淀积工艺，工艺温度为350-500摄氏度。