[发明专利]提高功率MOS晶体管工作频率的结构及方法有效
| 申请号： | 200910201763.1 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102054867A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 张洪强;魏炜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 功率 mos 晶体管 工作 频率 结构 方法 | ||
1.一种提高功率MOS晶体管工作频率的结构；包括自上而下布置的源极、衬底和漏极，源极和漏极之间有作为栅极的沟道，其特征在于，作为栅极的沟道的底部有一层氧化物，所述氧化物的厚度比沟道侧壁栅氧的厚度厚三倍以上。
2.如权利要求1所述的提高功率MOS晶体管工作频率的结构，其特征在于：所述作为栅极的沟道的底部的氧化物为二氧化硅。
3.如权利要求1所述的提高功率MOS晶体管工作频率的结构，其特征在于：所述氧化物的厚度比沟道侧壁栅氧的厚度厚三至五倍。
4.如权利要求1所述的提高功率MOS晶体管工作频率的结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一、在硅基片上生长处过渡氧化层和氮化硅作为刻蚀阻挡层；
步骤二、利用光刻板刻蚀出沟道；
步骤三、生长出沟道侧壁表面的牺牲氧化层；
步骤四、淀积氮化硅，作为氧化时的阻挡层
步骤五、将沟道底部的氮化硅刻蚀开，同时去除沟道侧壁的牺牲氧化层；
步骤六、通过氧气与沟道底部硅反应生成底部所述的氧化层；
步骤七、将氮化硅和氧化硅去除，只留下底部的氧化层。
5.如权利要求2所述的提高功率MOS晶体管工作频率的结构的制作方法，其特征在于：步骤一中采用化学气相淀积的方法淀积氮化硅作为刻蚀阻挡层。
6.如权利要求2所述的提高功率MOS晶体管工作频率的结构的制作方法，其特征在于：步骤四中再采用化学气相淀积的方法积淀氮化硅.
7.如权利要求2所述的提高功率MOS晶体管工作频率的结构的制作方法，其特征在于：步骤五中采用干法刻蚀将沟道底部的氮化硅刻蚀开。
8.如权利要求2所述的提高功率MOS晶体管工作频率的结构的制作方法，其特征在于：步骤七中，采用湿法刻蚀将氮化硅和氧化硅去除。
9.如权利要求2所述的提高功率MOS晶体管工作频率的结构的制作方法，其特征在于：所述作为栅极的沟道的底部的氧化物为二氧化硅。
10.如权利要求2所述的提高功率MOS晶体管工作频率的结构，其特征在于：所述氧化物的厚度比沟道侧壁栅氧的厚度厚三至五倍。
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