[发明专利]利用半导体测试仪读取芯片信息的方法无效
申请号: | 200910201764.6 | 申请日: | 2009-11-05 |
公开(公告)号: | CN102053222A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 朱渊源;辛吉升;桑浚之 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G01R31/317 | 分类号: | G01R31/317;G01R31/3183 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王江富 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 半导体 测试仪 读取 芯片 信息 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体测试技术,特别涉及一种利用半导体测试仪读取芯片信息的方法。
背景技术
常见的半导体测试仪,例如ADVANTEST T6573,如图1所示,包括主机(Main Frame)、测试头(Test Head)、数字采集器(DCAP);
所述主机包括测试控制单元(Tester Controller)、供电单元(DPS)(用于为被测芯片提供电源)、直流参数测量单元(用于被测芯片直流参数测量或提供芯片外部施加电压电流);
所述测试头包括通道电子回路(Pin Electronics)、框架处理器(FP,Frame Processor)、频率发生器(Rate Generator)、数据失效存储器(DFM)、序列图形发生器(SQPG)、算法图形发生器(ALPG)、扫描图形发生器(SCPG)、数据选择器(PDS);
所述通道电子回路包括两个比较器(CP)及参考电平发生器(VO),所述两个比较器(CP)用于逻辑高与逻辑低的比较,被测芯片输出的数据信号接所述两个比较器(CP),分别同参考电平发生器(VO)输出的参考高电平(VOH)及参考低电平(VOL)进行比较,其比较被测芯片输出的数据信号波形的检测(STROBE)点是由框架处理器(FP)的时序发生器产生的时序信号(STBL)的时间沿,所述参考电平发生器(VO)用于产生一个逻辑1及一个逻辑0的参考电平,如果被测芯片输出的数据信号电平小于等于参考低电平(VOL),低参考电平比较器输出0,否则输出1,如果被测芯片输出的数据信号电平大于等于参考高电平(VOH),高参考电平比较器输出0,否则输出1,从而输出低参考电平比较被测芯片输出的数据和高参考电平比较被测芯片输出的数据两路信号到框架处理器(FP)中的数据比较器。
所述框架处理器(FP,Framr Processor)包括数据比较器(DigitalCompare)、时序发生器(Timing Generator)、整形器(Formatter)、时序存储器(Timing Memory)、波形存储器(Waveform Memory),所述时序存储器用于产生不同的时间沿,用来作被测芯片激励波形产生、I/O切换控制、被测芯片输出的数据信号比较等;所述数据比较器根据图形真值表(TTB)中的图形值(PATTERN值)进行动作,如表1所示,当PATTERN值为0时,所述数据比较器不工作;当PATTERN值为1时,所述数据比较器不工作;当PATTERN值为L时,如果低参考电平比较器输出0(被测芯片输出的数据信号电平小于等于参考低电平),则芯片输出的数据测试通过,所述数据比较器输出芯片输出的数据测试通过信号,如果低参考电平比较器输出1(被测芯片输出的数据信号电平大于参考低电平),则芯片输出的数据测试失效,所述数据比较器将低参考电平比较器输出作取反处理后作为X结果输出至数据失效存储器DFM,将高参考电平比较器输出直接作为Y结果输出至数据失效存储器DFM;当PATTERN值为H时,如果高参考电平比较器输出0(被测芯片输出的数据信号电平大于等于参考高电平),则芯片输出的数据测试通过,所述数据比较器输出芯片输出的数据测试通过信号,如果高参考电平比较器输出1(被测芯片输出的数据信号电平小于参考高电平),则芯片输出的数据测试失效,所述数据比较器将高参考电平比较器输出作取反处理后作为Y结果输出至数据失效存储器DFM,将低参考电平比较器输出直接作为X结果输出至数据失效存储器DFM;当PATTERN值为Z时,数据比较器会做如下处理:将高参考电平比较器输出作取反处理作为Y结果输出至数据失效存储器DFM,将低参考电平比较器输出作取反处理作为X结果输出至数据失效存储器DFM;当PATTERN值为X时,所述数据比较器不工作;
表1
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