[发明专利]用KrF及其以下工艺制作半导体器件长方形孔的方法

权利要求书

1.一种用KrF及其以下工艺制作半导体器件长方形孔的方法，其特征在于，包括如下步骤：

在长方形孔的位置上，用光刻胶光刻定义尺寸为D1×D2的中空的第一长方形图形，其中D1≤D2；

然后在中空长方形图形上涂布光刻胶，并光刻定义尺寸为D3×D4的中空的第二长方形图形，其中D3≤D4，所述第一长方形图形长度为D2的边与所述第二长方形图形长度为D4的边垂直，并且D3≤D2，D1≤D4；

对所述第一长方形图形和第二长方形图形所叠加的尺寸为D1×D3的区域进行刻蚀，得到长方形孔。

2.根据权利要求1所述的用KrF及其以下工艺制作半导体器件长方形孔的方法，其特征在于，在定义得到所述第一长方形图形之后，在其上面涂布一层有机抗反射层，之后再涂布光刻胶并定义第二长方形图形，在定义第二长方形图形之后，先将暴露在D1×D3区域中的有机抗反射层刻蚀掉，然后在继续刻蚀长方形孔。