[发明专利]半导体射频器件的射频测试方法

权利要求书

1.一种半导体射频器件的射频测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

一.设置对半导体射频器件进行测试的射频测试总结构，包括两部分：待测的半导体射频器件结构和为射频探针的放置而设计的去嵌结构；

二.将所述去嵌结构的版图文件调入电磁仿真软件，对去嵌结构进行电磁仿真得到去嵌结构的射频参数；对所述射频测试总结构进行射频测试得到射频测试总结构的射频参数；

三.将所述对射频测试总结构进行射频测试得到的射频参数减去所述进行电磁仿真得到的去嵌结构的射频参数，得到待测的半导体射频器件结构的射频参数。

2.根据权利要求1所述的半导体射频器件的射频测试方法，其特征在于，所述去嵌结构为不会产生寄生影响的常规去嵌结构，由射频测试输入端与射频器件输入端之间的互连结构，以及射频测试输出端与射频器件输出端之间的互连结构所组成。

3.根据权利要求1所述的半导体射频器件的射频测试方法，其特征在于，将所述去嵌结构的版图文件调入电磁仿真软件，同时在电磁仿真软件中定义和去嵌结构生成工艺完全匹配的金属和介质层参数，对去嵌结构进行电磁仿真得到去嵌结构的射频参数。