[发明专利]SONOS闪存器件采用氧化铝作隧穿电介质膜的制作方法

权利要求书

1.一种SONOS闪存器件采用氧化铝作隧穿电介质膜的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，采用高温氨气退火使硅片表面氮化，形成一层氮化层；

第二步，在硅片表面氮化层上生长氧化铝层作为隧穿电介质膜；

第三步，在所述隧穿电介质膜上形成氮化硅陷阱层，对该氮化硅陷阱层进行原位掺杂形成氮氧化硅混合物层，作为存储电荷的介质；

第四步，在所述氮氧化硅混合物层上制备一层电荷阻挡热氧化层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述氧化铝层采用原子层淀积方法制备，以三甲基铝和臭氧作为反应气体，淀积温度为350℃～600℃，淀积压力为10mtorr～760torr，成膜厚度为

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：高温氨气退火温度为400℃～1000℃，退火压力为10mtorr～760torr。