[发明专利]一种双阱制造工艺方法有效
| 申请号： | 200910201855.X | 申请日： | 2009-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102074465A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;熊涛;陈瑜;陈雄斌;罗啸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制造 工艺 方法 | ||
1.一种双阱制造工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在硅衬底上热氧生长一层衬垫氧化层，然后采用低压化学气相淀积工艺在衬垫氧化层上沉积一层无定形硅；
(2)以离子注入的方式将大剂量的P型离子或N型离子注入到无定形硅的底部附近；
(3)光刻需要进行N型阱或P型阱注入的区域，并以反应离子刻蚀的方式将该区域的无定形硅刻蚀掉，停在衬垫氧化层上，并进行与步骤(2)的注入离子相反型的离子注入形成N型阱或P型阱，然后去除光刻胶；
(4)以高温推阱的方式将无定形硅中的注入离子推入下面的硅衬底中，形成与步骤(3)形成的阱相对的P型阱或N型阱；
(5)最后将无定形硅以及衬垫氧化层去除。
2.如权利要求1所述的双阱制造工艺方法，其特征在于，步骤(2)中，步骤(1)中，所述无定形硅的厚度为0.1-0.5微米。
3.如权利要求1所述的双阱制造工艺方法，其特征在于，步骤(2)中，步骤(2)中，所述P型离子为硼或者二氟化硼，所述N型离子为磷。
4.如权利要求1或3所述的双阱制造工艺方法，其特征在于，步骤(4)中，步骤(2)中，所述离子注入的注入能量为40kev-100kev，注入剂量为5e13-5e14。
5.如权利要求1所述的双阱制造工艺方法，其特征在于，步骤(4)中，步骤(4)中，所述高温推阱采用的工艺温度为1100-1200℃，时间为1小时以上。
6.如权利要求1所述的双阱制造工艺方法，其特征在于，步骤(4)中，步骤(5)中，采用湿法刻蚀将无定形硅以及衬垫氧化层去除，该湿法刻蚀采用氢氟酸和硝酸混合溶液。
7.如权利要求1所述的双阱制造工艺方法，其特征在于，步骤(2)采用P型离子注入，则步骤(3)采用N型离子注入形成N型阱，步骤(4)形成P型阱。
8.如权利要求1所述的双阱制造工艺方法，其特征在于，步骤(2)采用N型离子注入，则步骤(3)采用P型离子注入形成P型阱，步骤(4)形成N型阱。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
