[发明专利]应用锗硅工艺的多晶三极管及其制作方法有效
| 申请号： | 200910201866.8 | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102082172A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘梅;苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用 工艺 多晶 三极管 及其 制作方法 | ||
1.一种应用锗硅工艺的多晶三极管；其特征在于，包括：
场氧化区域；
在场氧化区域之上设置有第一层多晶硅；
在第一层多晶硅之上设置有多晶锗硅层；
在多晶锗硅层之上设置有第二层多晶硅；
在所述第一层多晶硅、多晶锗硅层、第二层多晶硅之上分别引出金属层。
2.如权利要求1所述的应用锗硅工艺的多晶三极管，其特征在于，所述第一层多晶硅和多晶锗硅层、多晶锗硅层和第二层多晶硅之间为异质结。
3.如权利要求1所述的应用锗硅工艺的多晶三极管，其特征在于，所述第一层多晶硅上引出金属层作为集电极。
4.如权利要求1所述的应用锗硅工艺的多晶三极管，其特征在于，第二层多晶硅上引出金属层作为发射极。
5.如权利要求1所述的应用锗硅工艺的多晶三极管，其特征在于，多晶锗硅层上引出金属层作为基极。
6.如权利要求1所述的应用锗硅工艺的多晶三极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、制作场氧化区域；
步骤二、在场氧化区上制作第一多晶硅层；
步骤三、在第一多晶硅层两侧制作氧化物侧墙；
步骤四、在第一多晶硅层上部制作隔离区；
步骤五、在第一多晶硅层上部制作锗硅层，并锗硅层上部制作隔离区；
步骤六、在锗硅层上部制作第二多晶硅层；
步骤七、去除多余的锗硅和多晶硅；
步骤八、在锗硅层和第二多晶硅层两侧制作氧化物侧墙；
步骤九、在第一多晶硅层和锗硅层和第二多晶硅层分别制作通孔，并用金属线引出。
7.如权利要求6所述的应用锗硅工艺的多晶三极管的制作方法，其特征在于，所述第一层多晶硅和多晶锗硅层、多晶锗硅层和第二层多晶硅之间为异质结。
8.如权利要求6所述的应用锗硅工艺的多晶三极管的制作方法，其特征在于，在所述第一层多晶硅上引出金属层作为集电极。
9.如权利要求6所述的应用锗硅工艺的多晶三极管的制作方法，其特征在于，在第二层多晶硅上引出金属层作为发射极。
10.如权利要求6所述的应用锗硅工艺的多晶三极管的制作方法，其特征在于，在多晶锗硅层上引出金属层作为基极。
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