[发明专利]LDMOS及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS，其特征是，在衬底(10)上具有埋层(11)，再往上则是外延层(20)；外延层(20)中有多个隔离区(13)，这些隔离区(13)将外延层(20)中的阱(12)、阱(171)和阱(172)相互隔离；阱(12)的底部与埋层(11)相接触；阱(12)中具有阱(173)；阱(173)中具有重掺杂区(184)；阱(171)中具有重掺杂区(181)，作为LDMOS器件的漏极；阱(172)中具有重掺杂区(182)和重掺杂区(183)，两者相连作为LDMOS器件的源极；阱(12)之上具有栅氧化层(13)，再往上为栅极(14)，作为LDMOS器件的栅极；栅氧化层(13)和栅极(14)两侧具有侧墙(15)；栅极(14)的下方包括隔离区(13)、n阱(171)、外延层(20)和阱(172)四个部分。

2.根据权利要求1所述的LDMOS，其特征是，所述衬底(10)、外延层(20)、阱(172)、重掺杂区(183)为p型；埋层(11)、阱(12)、阱(171)、重掺杂区(181)、重掺杂区(182)、重掺杂区(184)为n型；

或者，所述衬底(10)、外延层(20)、阱(172)、重掺杂区(183)为n型；埋层(11)、阱(12)、阱(171)、重掺杂区(181)、重掺杂区(182)、重掺杂区(184)为p型。

3.根据权利要求1所述的LDMOS，其特征是，所述漏端(181)和衬底(10)之间有两个PN结隔离；第一个PN结的P区为p型衬底(10)，N区为n型埋层(11)；第二个PN结的P区为p型外延层(20)，N区为n阱(171)和n型重掺杂区(181)。

4.根据权利要求1所述的LDMOS，其特征是，所述LDMOS的四周有隔离环结构，所述隔离环结构由n型重掺杂区(184)、n阱(173)和n阱(12)组成，所述隔离环结构底部与n型埋层(11)相接触。

5.根据权利要求1所述的LDMOS，其特征是，所述LDMOS的漂移区为n阱(171)，n阱(171)延伸到栅极(14)的下方。

6.如权利要求1所述的LDMOS的制造方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，在p型衬底(10)中以离子注入工艺形成n型埋层(11)；

第2步，在n型埋层(11)之上以外延工艺生长一层p型外延层(20)；

第3步，在p型外延层(20)中以离子注入工艺形成n阱(12)；

第4步，在p型外延层(20)中形成多个隔离区(13)；

第5步，在p型外延层(20)中以离子注入工艺形成n阱(171)，同时在n阱(12)中形成n阱(173)；

第6步，在硅片表面形成栅氧化层(14)、栅极(15)；

第7步，在p型外延层(20)中以离子注入工艺形成p阱(172)；

第8步，在硅片表面形成侧墙(16)；

第9步，在n阱(171)中以离子注入工艺形成n型重掺杂区(181)，同时在p阱(172)中形成n型重掺杂区(182)，同时在n阱(173)中形成n型重掺杂区(184)；

在p阱(172)中以离子注入工艺形成p型重掺杂区(183)。