[发明专利]实现硅锗异质结晶体管基区窗口的方法

权利要求书

1.一种实现硅锗异质结晶体管基区窗口的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，在硅衬底上形成有埋层、集电区、衬底隔离区的硅片上淀积复合介质膜；

步骤二，采用干法刻蚀所述复合介质膜，定义基区窗口，刻蚀停止在所述复合介质膜的氧化膜上；

步骤三，在基区窗口界面台阶处淀积侧墙用介质膜层，再采用干法刻蚀侧墙用介质膜层形成D形侧墙，刻蚀停止在复合介质膜剩余的氧化膜上；

步骤四，利用所述复合介质膜和D形侧墙做阻挡层，湿法去除基区窗口内剩余氧化膜，露出SiGe外延用基区；

步骤五，在所述基区窗口内进行SiGe外延生长，形成SiGe基极单晶硅层和SiGe外基区，并且由D形侧墙形成从单晶到多晶区缓变的粗糙度分布；

步骤六，在所述SiGe基极单晶硅层上形成发射极-基极隔离区，SiGeNPN器件多晶硅发射极区，发射极区多晶硅侧墙；由D形侧墙形成的基区窗口界面缓变台阶处无绝缘物残留；

步骤七，SiGe NPN器件金属硅化物形成，由D形侧墙形成的基区窗口界面缓变台阶处金属硅化物形成连续。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述复合介质膜为一层氧化膜和一层多晶硅膜组成的复合介质膜，厚度为

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述D形侧墙是氧化膜，氮化膜，氮氧化膜，或者由一层氮化膜和一层氧化膜组成的复合介质膜。