[发明专利]在CMOS工艺中集成光电二极管的方法有效
| 申请号： | 200910201940.6 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102097388A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王乐平;钱文生;张雷;徐俊杰;陈保周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 集成 光电二极管 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在CMOS工艺中集成光电二极管的方法，其特征在于：所述CMOS工艺是以0.35μm CMOS工艺作为基本工艺流程来集成所述光电二极管，包括如下步骤，
采用0.35μm CMOS工艺方法，通过衬垫氧化层的成长，SiN的淀积，光刻与刻蚀，场氧化层成长，SiN的去除形成场氧化层；
通过一次光刻和磷元素注入形成光电二极管N阱层；
在经过一次热过程之后，采用0.35μm CMOS工艺方法完成栅，侧墙，轻掺杂漏离子注入，源漏注入，硅化物合金层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述场氧化层的厚度为
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：注入能量为700kev±20％，注入剂量为1.5E13±20％；注入完成以后进行氧气退火，温度为1100℃，时间为110分钟，氧气含量为1％。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述光电二极管中的光电二极管区域的N型扩散区和P型扩散区由源漏注入时一起完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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