[发明专利]提高沟槽型功率MOS器件的击穿电压的方法有效
| 申请号： | 200910201963.7 | 申请日： | 2009-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN102104001A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 金勤海;程宇虹;缪进征 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 沟槽 功率 mos 器件 击穿 电压 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高沟槽型功率MOS器件的击穿电压的方法，其特征在于：在所述沟槽型功率MOS器件的沟槽刻蚀形成之后，在所述沟槽下方进行离子注入，形成导电类型与体区相同的阱，所述阱位于外延层中；而在接触孔刻蚀形成之后，在接触孔下方进行离子注入，形成导电类型与体区相同的接触阱，所述接触阱伸到所述外延层中。
2.根据权利要求1所述的提高沟槽型功率MOS器件的击穿电压的方法，其特征在于：所述栅极底部离子注入的剂量范围为1012～1015原子/cm2，注入能量为1～2000KeV；所述接触孔下方离子注入的剂量范围为1012～1015原子/cm2，注入能量范围为10～2000KeV。
3.根据权利要求1或2所述的提高沟槽型功率MOS器件的击穿电压的方法，其特征在于：在所述沟槽下方离子注入工艺和接触孔下方离子注入工艺后中，都要对衬底进行退火处理。
4.根据权利要求3所述的提高纵向沟槽MOS器件的耐压的方法，其特征在于：所述退火处理的温度设置为400～1200℃，处理时间为10秒至10小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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