[发明专利]电泳式显示器、主动元件阵列背板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明关于一种电泳式显示器、主动元件阵列背板及其制造方法，特别是有关于一种适于低温制程的主动元件阵列背板结构及其制造方法。

背景技术

目前市面上已商用化的电子书或电子标签等电子墨水或电泳式显示器，其所采用的主动式基板制程为非晶硅薄膜晶体管(TFT)制程，所需的光罩数为5-6道，且最高制程温度为300℃以上。这不仅成本较高，且无法应用于塑料基板上，达到柔性(flexible)的目的。

发明内容

针对上述技术问题，本发明提供一种主动元件阵列背板，包含基板、第一金属层、介电层、第二金属层、半导体通道区及保护层。基板包含薄膜晶体管区、储存电容区、扫描线区、数据线区和共通区。第一金属层设置于该基板上并被图样化，该第一金属层包含设置于该薄膜晶体管区的栅极、设置于该储存电容区的下电极、设置于该扫描线区的第一栅极引线和设置于该共通区的第一共通电极。介电层覆盖于该栅极和该下电极。第二金属层设置于该基板上并被图样化，该第二金属层包含设置于该薄膜晶体管区的源极及漏极、设置于该储存电容区的上电极、设置于该扫描线区的第二栅极引线、设置于该数据线区的数据引线和设置于该共通区的第二共通电极，其中该上电极与该下电极夹着该介电层而形成储存电容，该储存电容与该源极相接，该数据引线垂直于该栅极引线且与该漏极相接。半导体通道区及保护层依次设置于该源极及该漏极上。

根据本发明所述的主动元件阵列背板，基板为塑料基板或者玻璃基板。

根据本发明所述的主动元件阵列背板，第一金属层材料为铝、钽、铜或者钛。

根据本发明所述的主动元件阵列背板，保护层的材料为氧化硅、氮化硅或者氧化铝。

本发明还提供一种电泳式显示器，包含上述的主动元件阵列背板和电泳显示膜。电泳显示膜包含透明电极，该电泳显示膜贴附于该主动元件阵列背板，其中，该主动元件阵列背板的信号透过施加于该共通区的导电介质传送至该透明电极。

根据本发明所述的电泳式显示器，还包含防护膜，设置于该电泳显示膜的正面，该防护膜包含阻水膜、阻气膜或抗紫外线膜。

根据本发明所述的电泳式显示器，还包含阻水阻气胶，设置于该电泳显示膜的周边。

本发明还提供一种主动元件阵列背板的制造方法，包含以下步骤。在基板上沉积第一金属层。以第一道光罩图样化该第一金属层，形成薄膜晶体管的栅极、储存电容的下电极、第一栅极引线和第一共通电极。在该第一金属层上涂布光阻层，以第二道光罩图样化该光阻层，裸露出薄膜晶体管区和储存电容区的该第一金属层。对裸露出的该第一金属层进行阳极氧化，形成介电层。沉积第二金属层于该介电层及该第一金属层上，以第三道光罩图样化该第二金属层，在该薄膜晶体管区形成源极及漏极，并形成垂直于栅极引线的数据引线，该漏极与该数据引线相接，该源极与该储存电容相接，该储存电容由该第一金属层与该第二金属层夹着该介电层而形成。沉积透明金属氧化物层于该第二金属层上，以第四道光罩图样化该第二金属层，在源极及漏极上形成半导体通道区。在该半导体通道区上设置保护层。

根据本发明所述的制造方法，在以该第四道光罩图样化时所使用的保护材料，于该透明金属氧化物层蚀刻后不去除，以形成在该半导体通道区上的该保护层。

根据本发明所述的制造方法，连续沉积该透明氧化金属层及该保护层，以该第四道光罩图样化并经由蚀刻制程，在源极及漏极上形成半导体通道区及其上的该保护层。

通过本发明，可以仅采用4道光罩制程，且制程温度最高约在150℃～200℃，同时适用于塑料基板及玻璃基板。

附图说明

图1为本发明一实施例的电泳式显示器的示意图；

图2A至图2D为本发明一实施例的主动元件阵列背板的制造工艺示意图；

图3为本发明一实施例的电泳式显示器的制造工艺示意图；

图4A至图4D为本发明不同实施例的主动元件阵列背板的制造工艺示意图。

具体实施方式

为使对本发明的目的、构造、特征、及其功能有进一步的了解，兹配合实施例详细说明如下。