[发明专利]平面天线和电子设备有效
申请号: | 200910203125.3 | 申请日: | 2009-05-27 |
公开(公告)号: | CN101593871A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | 八木茂;小高有希;佐野文则 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | H01Q9/30 | 分类号: | H01Q9/30;H01Q5/01;H01Q1/38;H01Q21/30;H01Q1/24 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 许 静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 平面 天线 电子设备 | ||
1.一种平面天线,其特征在于,
该平面天线具备:
平面状的为绝缘体的膜;
形成在上述膜上的平面状的为导体的天线部;以及
接地的为导体的接地部,该接地部具有多个边,该多个边具有彼此不同的 共振频率的波长的1/4倍的长度,
上述天线部具备:
至少一个第一短路残段;
第一天线元件,其通过上述第一短路残段与上述接地部连接,在该第一天 线元件与上述接地部之间设置有供电点,该第一天线元件是具有以下角度的形 状:随着沿上述接地部远离上述供电点,该第一天线元件与上述接地部之间的 距离增大;
第二短路残段;以及
第二天线元件,其通过上述第二短路残段与上述第一天线元件连接。
2.根据权利要求1所述的平面天线,其特征在于,
上述第二短路残段为多个。
3.根据权利要求1所述的平面天线,其特征在于,
上述接地部是形成在上述膜上的平面状的第一导体部、以及没有形成在上 述膜上的第二导体部中的至少一个。
4.根据权利要求1所述的平面天线,其特征在于,
具有在上述天线部和上述接地部上形成的绝缘层。
5.根据权利要求4所述的平面天线,其特征在于,
上述绝缘层在上述供电点处的供电电缆的焊接位置具有孔部。
6.一种平面天线,其特征在于,
该平面天线具备:
平面状的为绝缘体的膜;
形成在上述膜上的平面状的为导体的天线部;以及
接地的为导体的接地部,该接地部具有多个边,该多个边具有彼此不同的 共振频率的波长的1/4倍的长度,
上述天线部具备:
至少一个第一短路残段;
第一天线元件,其通过上述第一短路残段与上述接地部连接,在该第一天 线元件与上述接地部之间设置有供电点;
多个第二短路残段;以及
第二天线元件,其通过上述第二短路残段与上述第一天线元件连接。
7.根据权利要求6所述的平面天线,其特征在于,
上述接地部是形成在上述膜上的平面状的第一导体部、以及没有形成在上 述膜上的第二导体部中的至少一个。
8.根据权利要求6所述的平面天线,其特征在于,
具有在上述天线部和上述接地部上形成的绝缘层。
9.根据权利要求8所述的平面天线,其特征在于,
上述绝缘层在上述供电点处的供电电缆的焊接位置具有孔部。
10.一种电子设备,其特征在于,
该电子设备具备:
平面天线;
经上述平面天线与外部设备进行通信的通信部;以及
控制上述通信部的控制部,
上述平面天线具备:
平面状的为绝缘体的膜;
形成在上述膜上的平面状的为导体的天线部;以及
接地的为导体的接地部,该接地部具有多个边,该多个边具有彼此不同的 共振频率的波长的1/4倍的长度,
上述天线部具备:
至少一个第一短路残段;
第一天线元件,其通过上述第一短路残段与上述接地部连接,在该第一天 线元件与上述接地部之间设置有供电点,该第一天线元件是具有以下角度的形 状:随着沿上述接地部远离上述供电点,该第一天线元件与上述接地部之间的 距离增大;
第二短路残段;以及
第二天线元件,其通过上述第二短路残段与上述第一天线元件连接。
11.一种电子设备,其特征在于,
该电子设备具备:
平面天线;
经上述平面天线与外部设备进行通信的通信部;以及
控制上述通信部的控制部,
上述平面天线具备:
平面状的为绝缘体的膜;
形成在上述膜上的平面状的为导体的天线部;以及
接地的为导体的接地部,该接地部具有多个边,该多个边具有彼此不同的 共振频率的波长的1/4倍的长度,
上述天线部具备:
至少一个第一短路残段;
第一天线元件,其通过上述第一短路残段与上述接地部连接,在该第一天 线元件与上述接地部之间设置有供电点;
多个第二短路残段;以及
第二天线元件,其通过上述第二短路残段与上述第一天线元件连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡西欧计算机株式会社,未经卡西欧计算机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910203125.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:叠层型压电元件及其制造方法