[发明专利]萧基二极管装置及其制造方法

权利要求书

1.一种萧基二极管装置，其特征在于，所述装置包括：

一p型半导体结构；

一n型漂移区，设置于所述p型半导体结构表面，其中所述n型漂移区包括掺质浓度相异的一第一n型掺杂区以及一第二n型掺杂区而所述第二n型掺杂区是环绕所述第一n型掺杂区的侧壁且具有较所述第一n型掺杂区为高的掺质浓度；

多个隔离结构，设置于所述n型漂移区的所述第二n型掺杂区内，以定义出一阳极区以及一阴极区，其中所述阳极区露出所述第一n型掺杂区的表面而所述阴极区部分露出所述第二n型掺杂区的表面；

一第三n型掺杂区，设置于为所述阴极区所部分露出的第二n型掺杂区表面，其中所述第三n型掺杂区具有高于所述第二n型掺杂区的掺质浓度；

一阳极电极，设置于所述阳极区内的所述第一n型掺杂区之上；以及

一阴极电极，设置于所述阴极区内的所述第三n型掺杂区之上。

2.如权利要求1所述的萧基二极管装置，其特征在于，所述第一n型掺杂区具有介于4×10¹⁵～2×10¹⁶atoms/cm³的掺质浓度，而所述第二n型掺杂区具有介于2×10¹⁶～8×10¹⁶atoms/cm³的掺质浓度。

3.如权利要求1所述的萧基二极管装置，其特征在于，所述第一n型掺杂区与所述第二n型掺杂区的底面接触所述p型半导体结构。

4.如权利要求1所述的萧基二极管装置，其特征在于，所述装置更包括一p型掺杂区，设置于为所述阳极区所露出的所述第一n型掺杂区与所述第二n型掺杂区表面之内并包覆所述这些隔离结构之一的边角。

5.如权利要求4所述的萧基二极管装置，其特征在于，所述装置更包括一层间介电层，设置于所述这些隔离结构与所述阳极电极与阴极电极之间，所述层间介电层分别覆盖所述这些隔离结构及其邻近的p型掺杂区及第三n型掺杂区的一部分。

6.如权利要求4所述的萧基二极管装置，其特征在于，所述阳极电极实体接触所述p型掺杂区与所述第一n型掺杂区。

7.如权利要求1所述的萧基二极管装置，其特征在于，所述第三n型掺杂区具有介于1×10¹⁷～5×10¹⁷atoms/cm³的掺质浓度。

8.一种萧基二极管装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一p型半导体层；

形成一n型漂移区于所述p型半导体层表面内，其中所述n型漂移区包括一第一n型掺杂区以及环绕所述第一n型掺杂区的一第二n型掺杂区，而所述第二n型掺杂区具有高于所述第一n型掺杂区的掺质浓度；

形成数个隔离结构于邻近所述第一n型掺杂区的所述第二n型掺杂区之内，进而于所述p型半导体层上定义出一阳极区与一阴极区，其中所述阳极区露出了所述第一n型掺杂区及邻近所述第一n型掺杂区的所述第二n型掺杂区的一部分，而所述阴极区仅露出了所述第二n型掺杂区的另一部分；

形成一第三n型掺杂区于所述阴极区所露出的所述第二n型掺杂区之内；以及

于所述阳极区与阴极区内分别形成一阳极电极与一阴极电极，以分别实体接触所述第一n型掺杂区与所述第三n型掺杂区。

9.如权利要求8所述的萧基二极管装置的制造方法，其特征在于，所述第一n型掺杂区具有介于4×10¹⁵～2×10¹⁶atoms/cm³的掺质浓度，所述第二n型掺杂区具有介于2×10¹⁶～8×10¹⁶atoms/cm³的掺质浓度，而所述第三n型掺杂区具有介于1×10¹⁷～5×10¹⁷atoms/cm³的掺质浓度。