[发明专利]薄型半导体晶片和减薄半导体晶片的方法

权利要求书

1.一种用于减薄半导体晶片的方法，包括：

提供具有第一侧和第二侧以及主表面的所述半导体晶片；

沿所述第二侧横向移动磨轮第一距离以形成台阶形内缘的第一 部分和腔；

沿所述第二侧横向移动磨轮第二距离以形成所述台阶形内缘的 第二部分，所述第二距离小于所述第一距离；

沿所述第二侧横向移动磨轮第三距离以形成所述台阶形内缘的 第三部分，所述第三距离小于所述第二距离；

沿所述第二侧横向移动磨轮第四距离以形成所述半导体晶片的 所述第二侧中的环形支撑结构的所述台阶形内缘的第四部分，

其中所述环形支撑结构具有第一和第二支撑部分，并且其中所述 第二支撑部分的宽度大于所述第一支撑部分的宽度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述环形支撑结构还 包括使用研磨器形成台阶形结构，其中使用所述研磨器包括：

从所述半导体晶片的背面研磨以形成具有第一宽度的第一台阶； 以及

从所述半导体晶片的所述背面研磨以形成具有第二宽度的第二 台阶，所述第二宽度大于所述第一宽度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中研磨所述半导体晶片包括： 研磨所述半导体晶片的所述背面以形成多个台阶，并且其中所述多个 台阶中的每个台阶具有不同于所述多个台阶中的其它台阶的宽度。

4.根据权利要求2所述的方法，其中研磨所述半导体晶片包括： 朝基本平行于所述主表面的方向移动磨轮，并且进一步包括：

横向移动所述磨轮第一距离以形成所述台阶形结构的第一台阶； 以及

横向移动所述磨轮第二距离以形成所述台阶形结构的第二台阶， 所述第二距离小于所述第一距离。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述环形支撑结构还 包括：使用研磨器通过使所述研磨器旋入所述半导体晶片中而形成所 述环形支撑结构。

6.一种用于由半导体晶片形成环形支撑结构的方法，包括：

分别在所述半导体晶片的第一侧和相反的第二侧上提供具有第 一表面和第二表面的所述半导体晶片；

使用磨轮从所述第二侧向下旋入所述半导体晶片并从所述第二 侧去除所述半导体晶片的多个部分以形成腔，其中去除所述多个部分 包括：

从所述第二侧去除所述半导体晶片的第一部分以形成所述 腔的第一部分，所述腔的所述第一部分具有第一横向尺寸和第一 垂直尺寸；

从所述第二侧去除所述半导体晶片的第二部分以形成所述 腔的第二部分，所述腔的所述第二部分具有第二横向尺寸和第二 垂直尺寸；以及

从所述第二侧去除所述半导体晶片的第三部分以形成所述 腔的第三部分，所述腔的所述第三部分具有第三横向尺寸和第三 垂直尺寸，所述第二横向尺寸大于所述第一横向尺寸，其中所述 第一垂直尺寸和所述第一横向尺寸与所述第二垂直尺寸和所述 第二横向尺寸以及所述第三垂直尺寸和所述第三横向尺寸协同 形成具有基本上恒定斜率的线。

7.根据权利要求6所述的方法，其中去除所述第一部分和所述 第二部分形成了斜切式结构。

8.一种半导体晶片，具有主表面、第一边和第二边以及环形支 撑结构，其中所述环形支撑结构包括具有至少第一部分、第二部分、 第三部分和第四部分的缘，其中所述第一部分具有第一宽度和第一深 度，所述第二部分具有第二宽度和第二深度，所述第三部分具有第三 宽度和第三深度，所述第四部分具有第四宽度和第四深度，所述第二 宽度大于所述第一宽度，所述第三宽度大于所述第二宽度，所述第四 宽度大于所述第三宽度，并且其中所述主表面从所述半导体晶片的所 述第一边延伸到所述第二边。