[发明专利]具有特殊结构的跨接导线的半导体布置结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910203858.7 申请日: 2009-05-20
公开(公告)号: CN101604667A 公开(公告)日: 2009-12-16
发明(设计)人: P·施通普夫 申请(专利权)人: 迈克纳斯公司
主分类号: H01L23/02 分类号: H01L23/02;H01L23/49;H01L23/482;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 谢志刚
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 具有 特殊 结构 导线 半导体 布置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体布置结构,具有至少两个设置在一壳体(1)内的 集成电路(IC1、IC2),这些集成电路通过跨接导线(10)相互导电 连接,其中,跨接导线(10)中的至少一个以一个楔形渐缩的末端(12) 导电连接在第一集成电路(IC1)的一带有坐靠的并导电的中间件的 第一连接区(3)上,并以一楔形渐缩的第二末端(14)与一安装在第 二集成电路(IC2)的连接区(6)上的并且导电的中间件(20)导电 连接,其中,跨接导线(10)由与中间件(20)不同的材料组成,并 且中间件(20)的材料比跨接导线(10)的材料软。

2.按权利要求1所述的半导体布置结构,其特征在于,跨接导线 (10)的材料为铜或铜合金。

3.按权利要求1所述的半导体布置结构,其特征在于,中间件(20) 由金、金合金或掺杂金组成。

4.按权利要求1至3之一所述的半导体布置结构,其特征在于, 中间件(20)制造成球形或接近球形。

5.按权利要求1至3之一所述的半导体布置结构,其特征在于, 跨接导线(10)的第一末端具有球形或接近球形的形状。

6.按权利要求1至3之一所述的半导体布置结构,其特征在于, 跨接导线(10)的直径为约20-30μm。

7.按权利要求1至3之一所述的半导体布置结构,其特征在于, 跨接导线(10)材料的维氏硬度≤70。

8.按权利要求1至3之一所述的半导体布置结构,其特征在于, 第一集成电路(IC1)和第二集成电路(IC2)相互并排设置。

9.按权利要求1至3之一所述的半导体布置结构,其特征在于, 第一集成电路(IC1)和第二集成电路(IC2)相互重叠设置,并且第 二集成电路(IC2)安放在第一集成电路(IC1)上。

10.用于制造按权利要求1至9之一所述半导体布置结构的方法, 具有以下步骤:

-提供一具有至少一个第一连接区(3)的第一集成电路(IC1),

-提供一具有至少一个第二连接区(6)的第二集成电路(IC2),

-提供一用于使第一连接区(3)和第二连接区(6)导电连接的 跨接导线,

-将一可导电的中间件这样安装在第二集成电路(IC2)的连接 区(6)上,即,使可导电的中间件(20)与第二集成电路(IC2)的 连接区(6)导电地连接,

-将跨接导线(10)的一楔形的第一末端(12)机械地固定在第 一安装在集成电路(IC1)的连接区(3)的中间件上,

-将跨接导线(10)的一楔形的第二末端(14)机械地固定在中 间件(20)上,其中,

-中间件(20)的材料选择得比跨接导线(10)的材料软。

11.按权利要求10所述的方法,其特征在于,第一和第二连接区 由铝或铝合金形成。

12.按权利要求11所述的方法,其特征在于,将作为球形或者近 似球形的元件的中间件(20)安装在第二集成电路(IC2)的连接区 (6)上。

13.按权利要求11或12所述的方法,其特征在于,将跨接导线 (10)作为球体的第一末端(12)熔接在第一集成电路(IC1)的连接 区(3)上,并将跨接导线(10)的楔形的第二末端(14)设计成楔形 联接点,由此借助于球-楔联接将跨接导线(10)固定在第一集成电 路(IC1)和第二集成电路(IC2)上。

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