[发明专利]光掩模坯料、光掩模及光掩模的制造方法

权利要求书

1.一种光掩模坯料，

其用于制作适用ArF准分子激光器的曝光光并且具有线宽度为70nm以下的 图案的光掩模，并且在玻璃基板上具有至少由两层构成的遮光膜，该光掩模坯料 的特征在于，

所述遮光膜具有与所述玻璃基板相接地形成的遮光层以及形成于该遮光层 的上面的表面防反射层，

所述遮光层的材料由含有7at％以上51at％以下的氮的氮化钽构成并且用不 含氧的氯系气体能够进行干蚀刻，

所述表面防反射层的材料由含有50％以上的氧的氧化钽构成并且用氯系气 体不能进行干蚀刻而用氟系气体能够进行干蚀刻。

2.如权利要求1所述的光掩模坯料，其特征在于，

所述遮光膜的膜厚低于65nm。

3.如权利要求1或2所述的光掩模坯料，其特征在于，

所述表面防反射层的膜厚在5nm以上、20nm以下。

4.如权利要求1所述的光掩模坯料，其特征在于，

所述遮光膜的相对于所述曝光光的光透射率为0.2％以下，并且背面反射率 低于40％。

5.如权利要求1所述的光掩模坯料，其特征在于，

所述遮光膜是遮光层与表面防反射层的叠层结构，所述遮光层由折射率n大 于1.65且小于2.44、消光系数k大于1.70且小于2.50的材料构成，所述表面防 反射层由折射率n在2.23以上且2.42以下、消光系数k在0.63以上且1.09以下 的材料构成。

6.一种光掩模，其特征在于，

在权利要求1所述的光掩模坯料的遮光膜形成有转印图案。

7.一种光掩模的制造方法，

其是制造在权利要求1所述的光掩模坯料的遮光膜形成转印图案而成的光掩 模的方法，其特征在于，

该方法包括：

以具有形成于所述遮光膜上的转印图案的抗蚀剂膜作为蚀刻掩模，用不含氧 的氟系气体对表面防反射层进行干蚀刻的工序；以及

在该工序后，以所述抗蚀剂膜和所述表面防反射层中的至少一个作为蚀刻掩 模，用不含氧的氯系气体对所述遮光层进行干蚀刻的工序。