[发明专利]铜导体糊剂、铜导体填充通孔的衬底的制造方法、电路衬底、电子部件、半导体封装

权利要求书

1.一种通孔填充用铜导体糊剂，其为填充到耐热性衬底的通孔中并在非氧化性气氛下进行煅烧的类型，其特征在于，由煅烧引起的体积变化率为8％以下，且煅烧后的铜导体的电阻率为10μΩ·cm以下。

2.如权利要求1所述的通孔填充用铜导体糊剂，其特征在于，至少含有铜粉末、玻璃粉末、有机载体，铜粉末是由10～30质量％的粒径小于1μm的粉末、和70～90质量％的粒径为1～50μm的粉末构成的混合粉末，而且振实密度为6.0g/cc以上，且铜导体糊剂中的有机成分含量为8.5质量％以下。

3.如权利要求2所述的通孔填充用铜导体糊剂，其特征在于，铜的所述混合粉末的平均比表面积为0.3～0.6m²/g。

4.如权利要求1～3中任一项所述的通孔填充用铜导体糊剂，其特征在于，相对于铜导体糊剂总量含有0.5～10质量％的氧化铜粉。

5.一种铜导体填充通孔的衬底的制造方法，其特征在于，具有：将权利要求1所述的铜导体糊剂填充到在耐热性衬底上形成的通孔中的工序、在氧化性气氛下对填充到通孔中的铜导体糊剂进行加热而使铜粉末部分氧化的工序、在非活性气氛下在700℃以上的温度下对氧化处理过的铜导体糊剂进行煅烧的工序。

6.如权利要求5所述的铜导体填充通孔的衬底的制造方法，其特征在于，对填充到通孔中的铜导体糊剂加热来进行氧化处理的工序是在温度200～300℃的加热条件下来实施。

7.如权利要求5所述的铜导体填充通孔的衬底的制造方法，其特征在于，所述耐热性衬底为陶瓷制衬底。

8.如权利要求7所述的铜导体填充通孔的衬底的制造方法，其特征在于，所述陶瓷制衬底为氮化铝衬底。

9.一种铜导体填充通孔的衬底，其特征在于，在耐热性衬底的通孔中填充有由权利要求1所述的铜导体糊剂的煅烧物构成的铜导体。

10.一种铜导体填充通孔的衬底，其特征在于，通过权利要求5所述的方法制造而成。

11.一种电路衬底，其具备权利要求9所述的铜导体填充通孔的衬底。

12.一种电子部件，其具备权利要求9所述的铜导体填充通孔的衬底。

13.一种半导体封装，其具备权利要求9所述的铜导体填充通孔的衬底。