[发明专利]电压能阶差参考电路

说明书

技术领域

本发明涉及电压能阶差(bandgap)参考电路，特别涉及使用具有动态临界电压的NMOSFET(N型金属氧化物半导体)的电压能阶差参考电路。

背景技术

在许多电子系统中，通常使用电压带沟参考电路来补偿因为不同温度所引起的电压变动，使得电压能阶差参考电路能输出一固定电压。电压能阶差参考电路通常使用PMOSFET(P型金属氧化物半导体)和电阻来补偿不同温度所引起的电压变动。然而，PMOSFET的N井并未和外围电路隔离，因此容易受到影响，而温度补偿效益亦因此降低。

发明内容

本发明的实施例公开了一种电压能阶差参考电路，包含：一第一NMOSFET，具有一漏极以及一源极；一第二NMOSFET，具有一漏极以及一源极，该第一NMOSFET的该源极以及该第二NMOSFET的该源极均耦接至具有一第一固定电压电平的一第一特定电压；以及一电压维持电路，耦接于该第一NMOSFET的该漏极以及该第二NMOSFET的该漏极，该电压维持电路是将该第一NMOSFET的该漏极的电压电平以及该第二NMOSFET的该漏极的电压电平维持在同一电压电平。

本发明的实施例另公开了一种电压能阶差参考电路，包含：一第一NMOSFET，具有一漏极以及一源极；一第二NMOSFET，具有一漏极以及一源极，该第一NMOSFET的该源极以及该第二NMOSFET的该源极均耦接至具有一第一固定电压电平的一第一特定电压；以及一电压维持电路，耦接于该第一NMOSFET的该漏极以及该第二NMOSFET的该漏极。该电压维持电路包含有：一第一PMOSFET，具有一源极；一第二PMOSFET，具有一源极，该第一PMOSFET的该源极以及该第二PMOSFET的该源极均耦接至具有一第二固定电压电平的一第二特定电压，该第一固定电压电平不同于该第二固定电压电平；一第一电阻，具有一第一端以及一第二端，该第一电阻的该第一端耦接至该第一PMOSFET的一漏极，该第一电阻的该第二端耦接至该第一NMOSFET的该漏极；一第二电阻，具有一第一端以及一第二端，该第二电阻的该第一端耦接至该第二PMOSFET的一漏极，该第二电阻的该第二端耦接至该第二NMOSFET的该漏极；以及一比较器，具有一第一输入端、一第二输入端以及一输出端，该比较器的该第一输入端耦接至该第一电阻的该第二端以及该第一NMOSFET的该漏极，该比较器的该第二输入端耦接至该第二电阻的该第一端以及该第二PMOSFET的该漏极，该比较器的该输出端耦接至该第一PMOSFET的一栅极以及该第二PMOSFET的一栅极，该比较器比较该第一NMOSFET的该漏极的电压电平以及该第二NMOSFET的该漏极的电压电平来控制该第一PMOSFET的该栅极以及该第二PMOSFET的该栅极，以将该第一NMOSFET的该漏极的电压电平以及该第二NMOSFET的该漏极的电压电平维持在同一电压电平。

本发明的实施例还公开了一种电压能阶差参考电路，包含：一第一动态临界电压NMOSFET，具有一漏极以及一源极，该第一动态临界电压NMOSFET的一栅极以及一基体(body)均耦接至该第一动态临界电压NMOSFET的该漏极；一第二动态临界电压NMOSFET，具有一漏极以及一源极，该第二动态临界电压NMOSFET的一栅极以及一基体均耦接至该第二动态临界电压NMOSFET的该漏极，该第一动态临界电压NMOSFET的该源极以及该第二动态临界电压NMOSFET的该源极均耦接至具有一第一固定电压电平的一第一特定电压；以及一电压维持电路，耦接于该第一动态临界电压NMOSFET的该漏极以及该第二动态临界电压NMOSFET的该漏极，该电压维持电路是将该第一动态临界电压NMOSFET的该漏极的电压电平以及该第二动态临界电压NMOSFET的该漏极的电压电平维持在同一电压电平。

由于NMOSFET的结构和PMOSFET不同，因此可避免已知技术中所提及的问题。

附图说明

图1绘示了根据本发明的优选实施例的电压能阶差参考电路的电路图。

图2绘示了使用在图1的实施例中的NMOSFET的剖面图。

【主要元件符号说明】

100电压能阶差参考电路

101电压维持电路

103第一NMOSFET

105第二NMOSFET

107比较器

109第一PMOSFET

111第二PMOSFET

113第一电阻

115第二电阻

201、203N+区

205P井区

207N井区