[发明专利]同时研磨多个半导体晶片的方法无效
| 申请号： | 200910204416.4 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101829948A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | G·皮奇;M·克斯坦;H·a·d·施普林 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司;彼特沃尔特斯有限责任公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 程大军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 同时 研磨 半导体 晶片 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种同时双侧研磨多个半导体晶片的方法，其中每个半导体晶片以自由运动的方式位于通过转动设备带动旋转的多个转盘之一的挖去部分中，并由此在摆线轨迹上运动，其中，所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以去除材料的方式加工，其中每个工作盘包括含有粘合磨料的工作层，其中在加工期间，半导体晶片以其面的一部分暂时离开由工作层界定的工作间隙，其中径向超出量的最大值为大于0％，且至多为半导体晶片直径的20％，其中所述超出量定义为在相对于工作盘的径向测得的长度，通过这个长度，半导体晶片在加工期间在特定点及时地伸出到工作间隙的内边缘或外边缘之外。
2.权利要求1的方法，其中当半导体晶片以其面的一部分区域暂时离开工作间隙时，所述半导体晶片逐渐完全地并且通常基本均等地扫过工作层的整个边缘区域。
3.权利要求1或2的方法，其中所述半导体晶片暂时地经过工作间隙的内边缘和暂时地经过工作间隙的外边缘离开工作间隙。
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