[发明专利]电子发射元件及其制造方法、电子发射装置、自发光设备、图像显示装置有效

专利信息
申请号: 200910204469.6 申请日: 2009-09-29
公开(公告)号: CN101930884A 公开(公告)日: 2010-12-29
发明(设计)人: 平川弘幸;长冈彩绘;井村康朗;岩松正 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01J1/30 分类号: H01J1/30;H01J1/312;H01J63/02;H01J29/04;H01J63/06;G02F1/13357;G02F1/133;H01J31/12;H01J9/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 谢丽娜;关兆辉
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子 发射 元件 及其 制造 方法 装置 发光 设备 图像 显示装置
【权利要求书】:

1.一种电子发射元件,具有相对配置的电极基板和薄膜电极、以及配置在该电极基板和薄膜电极之间的电子加速层,通过在上述电极基板和上述薄膜电极之间施加电压,而由上述电子加速层使电子加速,从上述薄膜电极发射上述电子,其特征在于,

上述电子加速层具有包含绝缘体微粒的微粒层,向该微粒层赋予用于提高上述微粒层的厚度方向上的电流流动容易度的单独物质或混合物质,

在上述电子加速层中预先形成有在厚度方向上穿通该电子加速层的导电路径,该导电路径的路径出口成为向上述薄膜电极提供上述电子的电子发射部。

2.根据权利要求1所述的电子发射元件,其特征在于,上述单独物质或混合物质以如下方式被赋予:若将上述微粒层中的电极基板侧设为下面,则从上述微粒层的上面看时的赋予位置离散。

3.根据权利要求2所述的电子发射元件,其特征在于,

上述单独物质或混合物质的赋予部分的总表面积相对于上述微粒层的表面积为5%以上90.6%以下,

上述薄膜电极的厚度为100nm以上500nm以下。

4.根据权利要求3所述的电子发射元件,其特征在于,上述单独物质或混合物质的赋予部分的总表面积相对于上述微粒层的表面积为10%以上。

5.根据权利要求3所述的电子发射元件,其特征在于,上述薄膜电极的厚度为160nm以上。

6.根据权利要求1所述的电子发射元件,其特征在于,

上述单独物质或混合物质为导电微粒,

该导电微粒堆积在上述微粒层的表面而形成堆积物,

在该导电微粒的堆积物处设置有成为上述电子发射部的物理性缺陷。

7.根据权利要求1所述的电子发射元件,其特征在于,上述微粒层还包含使绝缘体微粒相互粘结的粘合剂树脂。

8.根据权利要求6所述的电子发射元件,其特征在于,上述导电微粒为贵金属。

9.根据权利要求6所述的电子发射元件,其特征在于,上述导电微粒包括金、银、白金、钯及镍的至少一种。

10.根据权利要求1所述的电子发射元件,其特征在于,上述薄膜电极包含金、银、碳、钨、钛、铝及钯的至少一种。

11.一种电子发射装置,其特征在于,包括:权利要求1所述的电子发射元件;和在该电子发射元件中的上述电极基板和上述薄膜电极之间施加电压的电源部。

12.一种自发光设备,其特征在于,包括权利要求11所述的电子发射装置和发光体,从上述电子发射装置发射电子而使上述发光体发光。

13.一种图像显示装置,其特征在于,包括权利要求12所述的自发光设备。

14.一种电子发射元件的制造方法,该电子发射元件具有相对配置的电极基板和薄膜电极、以及配置在该电极基板和薄膜电极之间的电子加速层,通过在上述电极基板和上述薄膜电极之间施加电压,而由上述电子加速层使电子加速,从上述薄膜电极发射上述电子,该电子发射元件的制造方法的特征在于,包括以下工序:

在上述电极基板上形成包含绝缘体微粒的微粒层,并使导电微粒堆积在上述微粒层的表面而形成导电微粒的堆积物,从而形成电子加速层;

在上述电子加速层的表面形成薄膜电极;以及

在大气中在上述电极基板和上述薄膜电极之间施加直流电压,而在上述电子加速层上形成导电路径,从而进行成形处理。

15.根据权利要求14所述的电子发射元件的制造方法,其特征在于,在形成上述电子加速层的工序中,在上述微粒层的表面离散地配置导电微粒的堆积物。

16.根据权利要求14所述的电子发射元件的制造方法,其特征在于,

在形成上述电子加速层的工序中,还包括以下工序:

在上述电子加速层的全体表面上涂敷碱性溶液,该碱性溶液通过作为取代基导入用于给予电子对的电子给予体而构成。

17.根据权利要求14所述的电子发射元件的制造方法,其特征在于,在进行上述成形处理的工序中,在施加直流电压时,使电压阶段性地上升来施加。

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